Thuis > Nieuws > Nieuws uit de sector

Over defecten in SiC-kristallen - Micropipe

2023-08-18

SiC-substraat kan microscopische defecten vertonen, zoals Threading Screw Dislocation (TSD), Threading Edge Dislocation (TED), Base Plane Dislocation (BPD) en andere. Deze defecten worden veroorzaakt door afwijkingen in de rangschikking van atomen op atomair niveau. SiC-kristallen kunnen ook macroscopische dislocaties hebben, zoals Si- of C-insluitsels, micropijpjes, hexagonale holtes, polymorfen, enz. Deze dislocaties zijn doorgaans groot van formaat.




Een van de belangrijkste problemen bij de productie van SiC-apparaten zijn driedimensionale microstructuren die bekend staan ​​als "micropipe" of "pinholes", die doorgaans respectievelijk 30-40 µm en 0,1-5 µm groot zijn. Deze micropijpjes hebben een dichtheid van 10-10³/cm² en kunnen de epitaxiale laag binnendringen, wat resulteert in device-killer-defecten. Ze worden voornamelijk veroorzaakt door de clustering van spiro-dislocaties en worden beschouwd als het belangrijkste obstakel bij de ontwikkeling van SiC-apparaten.


Microtubulusdefecten op het substraat zijn de bron van andere defecten die tijdens het groeiproces in de epitaxiale laag worden gevormd, zoals holtes, insluitsels van verschillende polymorfen, tweelingen, enz. Daarom is het belangrijkste dat u moet doen tijdens het groeiproces van het substraatmateriaal voor hoogspannings- en hoogvermogen-SiC-apparaten is het verminderen van de vorming van microtubulusdefecten in bulk-SiC-kristallen en om te voorkomen dat deze de epitaxiale laag binnendringen.


De micropijp kan worden gezien als kleine putjes, en door de omstandigheden van het proces te optimaliseren kunnen we de putjes "opvullen" om de dichtheid van de micropijp te verminderen. Verschillende onderzoeken in de literatuur en experimentele gegevens hebben aangetoond dat verdampingsepitaxie, CVD-groei en epitaxie in de vloeistoffase de micropijp kunnen opvullen en de vorming van micropijpen en dislocaties kunnen verminderen.


Semicorex maakt gebruik van de MOCVD-techniek om SiC-coatings te creëren die de micropijpdichtheid effectief verminderen, wat resulteert in producten van topkwaliteit. Als u vragen heeft of aanvullende informatie nodig heeft, aarzel dan niet om contact met ons op te nemen.


Neem contact op met telefoonnummer +86-13567891907

E-mail: sales@semicorex.com


X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept