Siliciumcarbide (SiC) epitaxie is een sleuteltechnologie op het gebied van halfgeleiders, met name voor de ontwikkeling van krachtige elektronische apparaten. SiC is een samengestelde halfgeleider met een brede bandgap, waardoor het ideaal is voor toepassingen die een werking bij hoge temperatuur en......
Lees verderEpitaxiaal waferproces is een kritische techniek die wordt gebruikt bij de productie van halfgeleiders. Het omvat de groei van een dunne laag kristalmateriaal bovenop een substraat, dat dezelfde kristalstructuur en oriëntatie heeft als het substraat. Dit proces creëert een hoogwaardige interface tus......
Lees verderEpitaxiale wafers worden al tientallen jaren in de elektronica-industrie gebruikt, maar hun belang is alleen maar toegenomen naarmate de technologie voortschreed. In dit artikel zullen we onderzoeken wat epitaxiale wafels zijn en waarom ze zo'n essentieel onderdeel zijn van moderne elektronica.
Lees verderHalfgeleiders zijn materialen die elektrische eigenschappen tussen geleiders en isolatoren geleiden, met gelijke waarschijnlijkheid van verlies en winst van elektronen in de buitenste laag van de atoomkern, en die gemakkelijk tot PN-overgangen kunnen worden gemaakt. Zoals "silicium (Si)", "germanium......
Lees verder