Semicorex RTP-drager is gecoat met siliciumcarbide via het chemische dampafzettingsproces (CVD), dat zeer stabiel is voor RTA, RTP of agressieve chemische reiniging. In de kern van het halfgeleiderproces worden de epitaxie-susceptors eerst onderworpen aan de afzettingsomgeving, zodat deze een hoge hitte- en corrosieweerstand heeft. De met SiC gecoate drager heeft ook een hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende warmteverdelingseigenschappen.
● Zeer zuiver SiC-gecoat grafiet
● Superieure hittebestendigheid en chemische bestendigheid
● Hoge thermische uniformiteit
● Uitstekende slijtvastheid
Semicorex RTP Ring is een SiC-gecoate grafietring ontworpen voor hoogwaardige toepassingen in Rapid Thermal Processing (RTP)-systemen. Kies Semicorex vanwege onze geavanceerde materiaaltechnologie, die superieure duurzaamheid, precisie en betrouwbaarheid bij de productie van halfgeleiders garandeert.*
Lees verderStuur onderzoekDe RTP Graphite Carrier Plate van Semicorex is de perfecte oplossing voor toepassingen voor de verwerking van halfgeleiderwafels, inclusief epitaxiale groei en verwerking van wafels. Ons product is ontworpen om superieure hittebestendigheid en thermische uniformiteit te bieden, waardoor wordt gegarandeerd dat de epitaxie-susceptors worden blootgesteld aan de afzettingsomgeving, met een hoge hitte- en corrosieweerstand.
Lees verderStuur onderzoekSemicorex RTP SiC Coating Carrier biedt superieure hittebestendigheid en thermische uniformiteit, waardoor het de perfecte oplossing is voor toepassingen voor de verwerking van halfgeleiderwafels. Met zijn hoogwaardige SiC-gecoate grafiet is dit product ontworpen om bestand te zijn tegen de zwaarste afzettingsomgeving voor epitaxiale groei. De hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende warmteverdelingseigenschappen zorgen voor betrouwbare prestaties bij RTA, RTP of agressieve chemische reiniging.
Lees verderStuur onderzoekSemicorex RTP/RTA SiC Coating Carrier is ontworpen om de zwaarste omstandigheden van de depositieomgeving te weerstaan. Met zijn hoge hitte- en corrosieweerstand is dit product ontworpen om optimale prestaties te leveren bij epitaxiale groei. De met SiC gecoate drager heeft een hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende warmteverdelingseigenschappen, waardoor betrouwbare prestaties worden gegarandeerd voor RTA, RTP of agressieve chemische reiniging.
Lees verderStuur onderzoekSemicorex SiC Graphite RTP-draagplaat voor MOCVD biedt superieure hittebestendigheid en thermische uniformiteit, waardoor het de perfecte oplossing is voor toepassingen voor de verwerking van halfgeleiderwafels. Met een hoogwaardig SiC-gecoat grafiet is dit product ontworpen om bestand te zijn tegen de zwaarste afzettingsomgeving voor epitaxiale groei. De hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende warmteverdelingseigenschappen zorgen voor betrouwbare prestaties bij RTA, RTP of agressieve chemische reiniging.
Lees verderStuur onderzoekSemicorex SiC-gecoate RTP-draagplaat voor epitaxiale groei is de perfecte oplossing voor toepassingen voor de verwerking van halfgeleiderwafels. Met zijn hoogwaardige koolstofgrafietkroezen en kwartskroezen verwerkt door MOCVD op het oppervlak van grafiet, keramiek, enz., is dit product ideaal voor het hanteren van wafels en epitaxiale groeiverwerking. De met SiC gecoate drager zorgt voor een hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende warmteverdelingseigenschappen, waardoor het een betrouwbare keuze is voor RTA, RTP of agressieve chemische reiniging.
Lees verderStuur onderzoek