Onlangs heeft ons bedrijf aangekondigd dat het bedrijf met succes een 6-inch galliumoxide-monokristal heeft ontwikkeld met behulp van de gietmethode, waarmee het het eerste binnenlandse geïndustrialiseerde bedrijf is geworden dat de 6-inch galliumoxide-monokristalsubstraatvoorbereidingstechnologie o......
Lees verderHet proces van monokristallijne siliciumgroei vindt voornamelijk plaats binnen een thermisch veld, waar de kwaliteit van de thermische omgeving een aanzienlijke invloed heeft op de kristalkwaliteit en groei-efficiëntie. Het ontwerp van het thermische veld speelt een cruciale rol bij het vormgeven va......
Lees verderSiliciumcarbide (SiC) is een materiaal dat een hoge bindingsenergie bezit, vergelijkbaar met andere harde materialen zoals diamant en kubisch boornitride. De hoge bindingsenergie van SiC maakt het echter moeilijk om via traditionele smeltmethoden rechtstreeks in blokken te kristalliseren. Daarom omv......
Lees verderHalfgeleidermaterialen kunnen volgens de tijdsvolgorde in drie generaties worden verdeeld. De eerste generatie germanium, silicium en andere gebruikelijke monomaterialen, die wordt gekenmerkt door gemakkelijk schakelen, wordt doorgaans gebruikt in geïntegreerde schakelingen. De tweede generatie gall......
Lees verderTerwijl de wereld zoekt naar nieuwe mogelijkheden op het gebied van halfgeleiders, blijft galliumnitride opvallen als een potentiële kandidaat voor toekomstige energie- en RF-toepassingen. Ondanks alle voordelen die het biedt, staat het echter nog steeds voor een grote uitdaging; er zijn geen P-type......
Lees verder