China Siliciumcarbide keramiek fabrikanten, leveranciers, fabriek

Siliciumcarbidekeramiek (SiC) is een geavanceerd keramisch materiaal dat silicium en koolstof bevat. Korrels siliciumcarbide kunnen door sinteren aan elkaar worden gehecht tot zeer harde keramiek. Semicorex levert op maat gemaakte siliciumcarbide-keramiek als u dat nodig heeft.

toepassingen

Bij siliciumcarbidekeramiek blijven de materiaaleigenschappen constant tot temperaturen boven 1.400°C. De hoge Young-modulus > 400 GPa zorgt voor een uitstekende maatvastheid.

Een typische toepassing voor componenten van siliciumcarbide is dynamische afdichtingstechnologie met wrijvingslagers en mechanische afdichtingen, bijvoorbeeld in pompen en aandrijfsystemen.

â Ashuls â

â Bus â

â Mechanische asafdichting â

Met de geavanceerde eigenschappen is siliciumcarbide keramiek ook ideaal voor gebruik in de halfgeleiderindustrie.

â Wafeldrager â

â Wafelboot â

Wafer Boten
Semicorex Wafer Boat is gemaakt van gesinterd siliciumcarbide keramiek, dat goed bestand is tegen corrosie en uitstekend bestand is tegen hoge temperaturen en thermische schokken. Geavanceerde keramiek levert uitstekende thermische weerstand en plasmaduurzaamheid, terwijl deeltjes en verontreinigingen worden verminderd voor wafeldragers met hoge capaciteit.

Reactie gesinterd siliciumcarbide

Vergeleken met andere sinterprocessen is de grootteverandering van reactiesinteren tijdens het verdichtingsproces klein en kunnen producten met precieze afmetingen worden geproduceerd. De aanwezigheid van een grote hoeveelheid SiC in het gesinterde lichaam maakt de prestaties bij hoge temperatuur van door reactie gesinterde SiC-keramiek echter slechter.

Drukloos gesinterd siliciumcarbide

Drukloos gesinterd siliciumcarbide (SSiC) is een bijzonder lichte en tegelijkertijd harde hoogwaardige keramiek. SSiC wordt gekenmerkt door een hoge sterkte, die zelfs bij extreme temperaturen vrijwel constant blijft.

Kristallijn siliciumcarbide

Geherkristalliseerd siliciumcarbide (RSiC) zijn materialen van de volgende generatie die worden gevormd door het mengen van zeer zuiver siliciumcarbide grof poeder en hoogactief siliciumcarbide fijn poeder, en na het voegen vacuümsinteren bij 2450 ° C om te herkristalliseren.