Sitemap

Semicorex kondigt 8-inch SiC epitaxiale wafer aan | Begin met de productie van 3C-SiC-wafels | Wat zijn cantileverpeddels? | Wat zijn SiC-gecoate grafiet susceptors? | Wat is C/C-composiet? | Op de markt gebrachte 850V High Power GaN HEMT epitaxiale producten | Wat is isostatisch grafiet? | Poreus grafiet voor hoogwaardige SiC-kristalgroei door PVT-methode | Introductie van kerntechnologie van grafietboot | Wat is grafitiseren? | Introductie van galliumoxide (Ga2O3) | Toepassingen van galliumoxidewafel | Voor- en nadelen van galliumnitride (GaN)-toepassingen | Wat is siliciumcarbide (SiC)? | Wat zijn de uitdagingen bij de productie van siliciumcarbidesubstraten? | Wat is een SiC-gecoate grafiet susceptor? | Isolatiemateriaal voor thermische velden | Het eerste industrialisatiebedrijf voor galliumoxidesubstraten van 6 inch | De betekenis van poreuze grafietmaterialen voor de groei van SiC-kristallen | Silicium epitaxiale lagen en substraten in de productie van halfgeleiders | Plasmaprocessen bij CVD-operaties | Poreus grafiet voor SiC-kristalgroei | Wat is een SiC-boot en wat zijn de verschillende productieprocessen ervan? | Toepassings- en ontwikkelingsuitdagingen van met TaC gecoate grafietcomponenten | Siliciumcarbide (SiC) kristalgroeioven | Een korte geschiedenis van siliciumcarbide en toepassingen van siliciumcarbidecoatings | Voordelen van siliciumcarbidekeramiek in de optische vezelindustrie | Kernmateriaal voor SiC-groei: Tantaalcarbidecoating | Wat zijn de voor- en nadelen van droog etsen en nat etsen? | Wat is het verschil tussen epitaxiale en diffusiewafels | Galliumnitride epitaxiale wafels: een inleiding tot het fabricageproces | SiC-boten versus kwartsboten: huidig ​​gebruik en toekomstige trends in de productie van halfgeleiders | Inzicht in chemische dampafzetting (CVD): een uitgebreid overzicht | Hoogzuiver CVD dik SiC: procesinzichten voor materiaalgroei | Demystificerende elektrostatische chuck-technologie (ESC) bij het hanteren van wafels | Siliciumcarbide-keramiek en hun diverse fabricageprocessen | Hoogzuiver kwarts: een onmisbaar materiaal voor de halfgeleiderindustrie | Een overzicht van 9 sintertechnieken voor siliciumcarbidekeramiek | Gespecialiseerde voorbereidingstechnieken voor siliciumcarbidekeramiek | Waarom kiezen voor drukloos sinteren voor SiC-keramische voorbereiding? | Analyse van de toepassingen en ontwikkelingsvooruitzichten van SiC-keramiek in de halfgeleider- en fotovoltaïsche sectoren | Hoe wordt siliciumcarbide-keramiek toegepast en wat is de toekomst ervan op het gebied van slijtvastheid en weerstand tegen hoge temperaturen? | De studie over reactie-gesinterde SiC-keramiek en hun eigenschappen | Met SiC gecoate susceptors in MOCVD-processen | Semicorex-technologie voor speciaal grafiet | Wat zijn de toepassingen van SiC- en TaC-coatings op het gebied van halfgeleiders? | PECVD-proces | Synthetiseren van hoogzuiver siliciumcarbidepoeder | Hiërarchische poreuze koolstofmaterialen: synthese en introductie | Wat is een dummywafel? | Wat is glasachtige koolstofcoating

Wat is SiC-epitaxie? | Wat is een epitaxiaal waferproces? | Waar worden epitaxiale wafels voor gebruikt? | Wat is een MOCVD-systeem? | Wat is het voordeel van siliciumcarbide? | Wat is een halfgeleider? | Hoe halfgeleiders te classificeren | Chiptekort blijft een probleem | Japan heeft onlangs de export van 23 soorten apparatuur voor de fabricage van halfgeleiders beperkt | CVD-proces voor epitaxie van SiC-wafels | China bleef de grootste markt voor halfgeleiderapparatuur | CVD-oven bespreken | Toepassingsscenario's voor epitaxiale lagen | TSMC: productie van 2nm procesrisicoproeven volgend jaar | Fondsen voor halfgeleiderprojecten | MOCVD is het belangrijkste materiaal | Substantiële groei van de markt voor SiC-gecoate grafietsusceptoren | Wat is het proces van SiC-epitaxiaal? | Waarom SiC-gecoate grafietsusceptors kiezen? | Wat is P-type SiC-wafer? | Verschillende soorten SiC-keramiek | Koreaanse geheugenchips kelderden | Wat is SOI | Cantilever-peddel kennen | Wat is CVD voor SiC | Taiwan's PSMC gaat 300 mm Wafer Fab bouwen in Japan | Over halfgeleider verwarmingselementen | Toepassingen in de GaN-industrie | Overzicht van de ontwikkeling van de fotovoltaïsche industrie | Wat is CVD-proces in halfgeleiders? | TaC-coating | Wat is vloeistoffase-epitaxie? | Waarom kiezen voor de epitaxiemethode in de vloeibare fase? | Over defecten in SiC-kristallen - Micropipe | Dislocatie in SiC-kristallen | Droog etsen versus nat etsen | SiC-epitaxie | Wat is isostatisch grafiet? | Wat is het proces van isostatisch grafietproductie? | Wat is de diffusieoven? | Hoe grafietstaven vervaardigen? | Wat is poreus grafiet? | Tantaalcarbide coatings in de halfgeleiderindustrie | LPE-apparatuur | TaC-coatingkroes voor AlN-kristalgroei | Methoden voor AlN-kristalgroei | TaC-coating met CVD-methode | De impact van temperatuur op CVD-SiC-coatings | Siliciumcarbide verwarmingselementen | Wat is kwarts? | Kwartsproducten in halfgeleidertoepassingen | Introductie van fysiek damptransport (PVT) | 3 methoden voor grafietgieten | Coating op thermisch gebied van halfgeleider-silicium-monokristallen | GaN versus SiC | Kun je siliciumcarbide slijpen? | Siliciumcarbide-industrie | Wat is een TaC-coating op grafiet? | Verschillen tussen SiC-kristallen met verschillende structuren | Substraat snij- en slijpproces | Toepassingen van met TaC gecoate grafietcomponenten | MOCVD kennen | Dopingcontrole bij sublimatie SiC-groei | Voordelen van SiC in de EV-industrie | De opkomst en vooruitzichten van de markt voor siliciumcarbide (SiC)-energieapparaten | GaN kennen | De cruciale rol van epitaxiale lagen in halfgeleiderapparaten | Epitaxiale lagen: de basis van geavanceerde halfgeleiderapparaten | Werkwijze voor het bereiden van SiC-poeder | Inleiding tot het implantatie- en gloeiproces van siliciumcarbide-ionen | Siliciumcarbide-toepassingen | Sleutelparameters van siliciumcarbide (SiC) substraten | Belangrijkste stappen bij de verwerking van SiC-substraten | Substraat versus epitaxie: sleutelrollen bij de productie van halfgeleiders | Inleiding tot halfgeleiders van de derde generatie: GaN en gerelateerde epitaxiale technologieën | Moeilijkheden bij de GaN-voorbereiding | Siliciumcarbide Wafer-epitaxietechnologie | Inleiding tot vermogensapparaten van siliciumcarbide | Inzicht in de droge etstechnologie in de halfgeleiderindustrie | Siliciumcarbidesubstraat | Moeilijkheden bij het bereiden van SiC-substraten | Inzicht in het volledige fabricageproces van halfgeleiderapparaten | Diverse toepassingen van kwarts bij de productie van halfgeleiders | Uitdagingen van ionenimplantatietechnologie in SiC- en GaN-vermogensapparaten | Ionenimplantatie en diffusieproces | Wat is CMP-proces | Hoe het CMP-proces uit te voeren | Waarom groeit Gllium Nitride (GaN) epitaxie niet op een GaN-substraat? | Oxidatieproces | Defectvrije epitaxiale groei en misfit-dislocaties | 4e generatie halfgeleiders galliumoxide/β-Ga2O3 | Toepassing van SiC en GaN in elektrische voertuigen | De cruciale rol van SiC-substraten en kristalgroei in de halfgeleiderindustrie | Siliciumcarbidesubstraat Kernprocesstroom | SiC-snijden | Siliciumwafel | Substraat en epitaxie | Monokristallijn silicium versus polykristallijn silicium | Heteroepitaxie van 3C-SiC: een overzicht | Groeiproces van dunne film | Wat is grafitiseringsgraad? | SiC-keramiek: het onmisbare materiaal voor uiterst nauwkeurige componenten in de halfgeleiderproductie | GaN-enkel kristal | Methode voor GaN-kristalgroei | Zuiveringstechnologie van grafiet in SiC-halfgeleider | Technische uitdagingen bij kristalgroeiovens van siliciumcarbide | Welke toepassingen van galliumnitride (GaN) substraat? | Onderzoeksvoortgang van TaC-coatings op op koolstof gebaseerde materiaaloppervlakken | Isostatische grafietproductietechnologie | Wat is thermisch veld? | GaN en SiC: coëxistentie of vervanging? | Wat is elektrostatische Chuck (ESC)? | De etsverschillen tussen silicium- en siliciumcarbidewafels begrijpen | Wat is siliciumnitride | Oxidatie bij halfgeleiderverwerking | Productie van monokristallijn silicium | Infineon onthult 's werelds eerste 300 mm Power GaN-wafer | Wat is een kristalgroeiovensysteem | De studie naar de verdeling van elektrische weerstand in n-type 4H-SiC-kristallen | Waarom ultrasoon reinigen gebruiken bij de productie van halfgeleiders | Wat is thermisch gloeien | Het bereiken van hoogwaardige SiC-kristalgroei door middel van temperatuurgradiëntcontrole in de initiële groeifase | Chipproductie: dunnefilmprocessen | Hoe worden keramische elektrostatische klauwplaten eigenlijk geproduceerd? | Gloeiprocessen in de moderne halfgeleiderproductie | Waarom is er in de halfgeleiderindustrie een toenemende vraag naar SiC-keramiek met hoge thermische geleidbaarheid? | Introductie van siliciummateriaal | SiC-substraatverwerking met één kristal | Kristaloriëntatie en defecten in siliciumwafels | Oppervlaktepolijsten van siliciumwafels | De fatale fout van GaN | Eindpolijsten van het oppervlak van de siliciumwafel | Hoe wordt siliciumcarbide vervaardigd? | Wolfspeed pauzeert de bouwplannen van Duitse halfgeleiderfabrieken | De structuur van elektrostatische Chuck (ESC) | Wat is plasma-etsen bij lage temperatuur? | Homoepitaxie en Heteroepitaxie eenvoudig uitgelegd | Toepassing van koolstofvezelcomposiet | Onderzoek naar de toekomstperspectieven van siliciumhalfgeleiderchips | SK Siltron breidt zijn productie van SiC-wafers uit met een lening van $ 544 miljoen van het Amerikaanse ministerie van Energie | Toepassing van GaN | Wat is een dummywafel | Defectdetectie bij de verwerking van siliciumcarbidewafels | Dopingproces van halfgeleiders | De fusie van AI en natuurkunde: CVD technologische innovatie achter de Nobelprijs | Etsprocesparameters | Wat is het verschil tussen grafitisering en carbonisatie | Bijna $840 miljoen: Onsemi neemt een SiC-bedrijf over | De eenheid in halfgeleider: Angstrom | SiGe in chipproductie: een professioneel nieuwsrapport | SiGe en Si selectieve etstechnologie | AlN-kristalgroei volgens PVT-methode | Gloeien | Wat is halfgeleiderionenimplantatietechnologie? | Welke uitdagingen zijn er betrokken bij de productie van SiC? | Productie van wafels | Czochralski-methode | De toepassingsvooruitzichten van 12-inch siliciumcarbidesubstraten | Toepassingen van siliciumcarbide | Voordelen van TAC -coating in SIC Single Crystal Growth | Hoe geavanceerde materialen 3 kritieke uitdagingen oplossen in het ontwerp van halfgeleiderovens | Wat zijn de toepassingen van keramische membranen van siliciumcarbide | Intrinsiek silicium | Silicium carbide keramisch membraan: een nieuw scheidingsmembraan dat naar verwachting verschillende anorganische membranen zal vervangen | TAC gecoat crucibel in SIC Crystal Growth | Siliciumcarbidepoeder van elektronische kwaliteit | Wat is aln -verwarming | Halfgeleider keramische delen | LPE is de belangrijke methode voor het bereiden van P-type 4H-SIC enkel kristal en 3C-SIC enkel kristal | Keramische kachels