Poreus grafiet voor hoogwaardige SiC-kristalgroei door PVT-methode

Siliciumcarbide (SiC) is uitgegroeid tot een sleutelmateriaal op het gebied van halfgeleidertechnologie en biedt uitzonderlijke eigenschappen die het zeer wenselijk maken voor diverse elektronische en opto-elektronische toepassingen. De productie van hoogwaardige SiC-eenkristallen is cruciaal voor het bevorderen van de mogelijkheden van apparaten zoals vermogenselektronica, LED's en hoogfrequente apparaten. In dit artikel duiken we in de betekenis van poreus grafiet in de Physical Vapor Transport (PVT) -methode voor de groei van 4H-SiC-eenkristallen.

De PVT-methode is een veelgebruikte techniek voor de productie van SiC-monokristallen. Dit proces omvat de sublimatie van SiC-bronmaterialen in een omgeving met hoge temperaturen, gevolgd door hun condensatie op een kiemkristal om een ​​enkele kristalstructuur te vormen. Het succes van deze methode is sterk afhankelijk van de omstandigheden in de groeikamer, inclusief temperatuur, druk en de gebruikte materialen.

Poreus grafiet speelt met zijn unieke structuur en eigenschappen een cruciale rol bij het verbeteren van het SiC-kristalgroeiproces. SiC-kristallen die volgens traditionele PVT-methoden zijn gegroeid, zullen meerdere kristalvormen hebben. Het gebruik van een poreuze grafietkroes in de oven kan echter de zuiverheid van 4H-SiC-monokristal aanzienlijk verhogen.

De opname van poreus grafiet in de PVT-methode voor de groei van 4H-SiC-monokristallen vertegenwoordigt een aanzienlijke vooruitgang op het gebied van halfgeleidertechnologie. De unieke eigenschappen van poreus grafiet dragen bij aan een verbeterde gasstroom, temperatuurhomogeniteit, spanningsvermindering en verbeterde warmteafvoer. Deze factoren resulteren gezamenlijk in de productie van hoogwaardige SiC-eenkristallen met minder defecten, wat de weg vrijmaakt voor de ontwikkeling van efficiëntere en betrouwbaardere elektronische en opto-elektronische apparaten. Terwijl de halfgeleiderindustrie zich blijft ontwikkelen, staat het gebruik van poreus grafiet in SiC-kristalgroeiprocessen klaar om een ​​cruciale rol te spelen bij het vormgeven van de toekomst van elektronische materialen en apparaten.