Kun je siliciumcarbide slijpen?

Siliciumcarbide (SiC)heeft belangrijke toepassingen op gebieden zoals vermogenselektronica, hoogfrequente RF-apparaten en sensoren voor omgevingen die bestand zijn tegen hoge temperaturen vanwege de uitstekende fysisch-chemische eigenschappen. De snijbewerking tijdensSiC-wafelDe verwerking veroorzaakt schade aan het oppervlak, die, indien onbehandeld, kan uitzetten tijdens het daaropvolgende epitaxiale groeiproces en epitaxiale defecten kan vormen, waardoor de opbrengst van het apparaat wordt beïnvloed. Daarom spelen slijp- en polijstprocessen een cruciale rolSiC-wafelverwerken. Op het gebied van de verwerking van siliciumcarbide (SiC) zijn de technologische vooruitgang en de industriële ontwikkeling van slijp- en polijstapparatuur een sleutelfactor bij het verbeteren van de kwaliteit en efficiëntie vanSiC-wafelverwerken. Deze apparatuur werd oorspronkelijk gebruikt in saffier-, kristallijn silicium- en andere industrieën. Met de groeiende vraag naar SiC-materialen in hoogwaardige elektronische apparaten zijn de bijbehorende verwerkingstechnologieën en apparatuur ook snel ontwikkeld en hun toepassingen uitgebreid.

Bij het maalproces vansiliciumcarbide (SiC) eenkristalsubstratenVoor de verwerking worden meestal slijpmedia met diamantdeeltjes gebruikt, die in twee fasen zijn verdeeld: voorslijpen en fijnslijpen. Het doel van de voorbereidende slijpfase is om de efficiëntie van het proces te verbeteren door grotere korrelgroottes te gebruiken en om de gereedschapssporen en verslechteringslagen te verwijderen die ontstaan ​​tijdens het meerdraads snijproces, terwijl de fijne slijpfase gericht is op het verwijderen van de verwerkingsschadelaag. geïntroduceerd door het voorslijpen en het verder verfijnen van de oppervlakteruwheid door het gebruik van kleinere korrelgroottes.

Slijpmethoden zijn onderverdeeld in enkelzijdig en dubbelzijdig slijpen. De dubbelzijdige slijptechniek is effectief bij het optimaliseren van de kromtrekking en vlakheid van deSiC-substraat, en bereikt een homogener mechanisch effect vergeleken met enkelzijdig slijpen door gelijktijdig beide zijden van het substraat te bewerken met behulp van zowel de bovenste als de onderste slijpschijven. Bij enkelzijdig slijpen of leppen wordt het substraat meestal op zijn plaats gehouden door was op metalen schijven, wat bij het uitoefenen van machinale druk een lichte vervorming van het substraat veroorzaakt, waardoor het substraat kromtrekt en de vlakheid aantast. Bij dubbelzijdig slijpen wordt daarentegen in eerste instantie druk uitgeoefend op het hoogste punt van het substraat, waardoor dit vervormt en geleidelijk vlakker wordt. Naarmate het hoogste punt geleidelijk wordt afgevlakt, wordt de druk die op het substraat wordt uitgeoefend geleidelijk verminderd, zodat het substraat wordt onderworpen aan een meer uniforme kracht tijdens de verwerking, waardoor de kans op kromtrekken nadat de verwerkingsdruk is opgeheven aanzienlijk wordt verminderd. Deze methode verbetert niet alleen de verwerkingskwaliteit van desubstraat, maar biedt ook een meer wenselijke basis voor het daaropvolgende productieproces van micro-elektronica.