Infineon onthult 's werelds eerste 300 mm Power GaN-wafer

Onlangs heeft Infineon Technologies de succesvolle ontwikkeling aangekondigd van 's werelds eerste 300 mm krachtige Gallium Nitride (GaN) wafertechnologie. Dit maakt hen het eerste bedrijf dat deze baanbrekende technologie beheerst en massaproductie realiseert binnen bestaande grootschalige productieomgevingen met hoge capaciteit. Deze innovatie markeert een aanzienlijke vooruitgang op de GaN-gebaseerde markt voor vermogenshalfgeleiders.

Hoe verhoudt de 300 mm-technologie zich tot de 200 mm-technologie?

Vergeleken met de 200 mm-technologie maakt het gebruik van 300 mm-wafels de productie van 2,3 keer meer GaN-chips per wafer mogelijk, waardoor de productie-efficiëntie en output aanzienlijk worden verbeterd. Deze doorbraak consolideert niet alleen het leiderschap van Infineon op het gebied van energiesystemen, maar versnelt ook de snelle ontwikkeling van GaN-technologie.

Wat zei de CEO van Infineon over deze prestatie?

CEO van Infineon Technologies, Jochen Hanebeck, verklaarde: “Deze opmerkelijke prestatie demonstreert onze robuuste kracht op het gebied van innovatie en is een bewijs van de niet aflatende inspanningen van ons wereldwijde team. Wij zijn ervan overtuigd dat deze technologische doorbraak de industrienormen zal hervormen en het volledige potentieel van de GaN-technologie zal ontsluiten. Bijna een jaar na onze overname van GaN Systems tonen we opnieuw onze vastberadenheid om leiding te geven in de snelgroeiende GaN-markt. Als leider op het gebied van energiesystemen heeft Infineon een concurrentievoordeel verworven in drie belangrijke materialen: silicium, siliciumcarbide en GaN.”

CEO van Infineon, Jochen Hanebeck, heeft een van 's werelds eerste 300 mm GaN Power-wafers in handen, geproduceerd in een bestaande en schaalbare productieomgeving voor grote volumes

Waarom is de 300 mm GaN-technologie voordelig?

Een belangrijk voordeel van de 300 mm GaN-technologie is dat deze kan worden geproduceerd met behulp van bestaande 300 mm-siliciumproductieapparatuur, aangezien GaN en silicium overeenkomsten vertonen in productieprocessen. Dankzij deze functie kan Infineon GaN-technologie naadloos integreren in zijn huidige productiesystemen, waardoor de acceptatie en toepassing van de technologie wordt versneld.

Waar heeft Infineon met succes 300 mm GaN-wafels geproduceerd?

Momenteel heeft Infineon met succes GaN-wafels van 300 mm geproduceerd op de bestaande 300 mm-siliciumproductielijnen in de elektriciteitscentrale in Villach, Oostenrijk. Voortbouwend op de gevestigde basis van 200 mm GaN-technologie en 300 mm siliciumproductie heeft het bedrijf zijn technologische en productiemogelijkheden verder uitgebreid.

Wat betekent deze doorbraak voor de toekomst?

Deze doorbraak benadrukt niet alleen de sterke punten van Infineon op het gebied van innovatie en grootschalige productiecapaciteiten, maar legt ook een solide basis voor de toekomstige ontwikkeling van de vermogenshalfgeleiderindustrie. Terwijl de GaN-technologie zich blijft ontwikkelen, zal Infineon de marktgroei blijven stimuleren, waardoor zijn leidende positie in de mondiale halfgeleiderindustrie verder wordt versterkt.**