Etsprocesparameters

Etsenis een cruciale stap in de chipproductie, die wordt gebruikt om minuscule circuitstructuren op siliciumwafels te creëren. Het omvat het verwijderen van materiaallagen met chemische of fysische middelen om aan specifieke ontwerpvereisten te voldoen. In dit artikel worden verschillende belangrijke etsparameters geïntroduceerd, waaronder onvolledig etsen, overetsen, etssnelheid, ondersnijding, selectiviteit, uniformiteit, aspectverhouding en isotroop/anisotropisch etsen.

Wat is onvolledigEtsen?

Onvolledig etsen vindt plaats wanneer het materiaal in het aangewezen gebied tijdens het etsproces niet volledig wordt verwijderd, waardoor er restlagen achterblijven in gaten met patronen of op oppervlakken. Deze situatie kan het gevolg zijn van verschillende factoren, zoals onvoldoende etstijd of een ongelijkmatige filmdikte.

Over-Etsen

Om de volledige verwijdering van al het benodigde materiaal te garanderen en rekening te houden met variaties in de dikte van de oppervlaktelaag, wordt doorgaans een zekere mate van overetsing in het ontwerp verwerkt. Dit betekent dat de werkelijke etsdiepte de doelwaarde overschrijdt. Passend overetsen is essentieel voor de succesvolle uitvoering van daaropvolgende processen.

EtsenTarief

De etssnelheid verwijst naar de dikte van het materiaal dat per tijdseenheid wordt verwijderd en is een cruciale indicator voor de etsefficiëntie. Een veel voorkomend verschijnsel is het belastingseffect, waarbij onvoldoende reactief plasma leidt tot verminderde etssnelheden of een ongelijkmatige etsverdeling. Dit kan worden verbeterd door procesomstandigheden zoals druk en vermogen aan te passen.

Onderbieding

Onderbieding vindt plaats wanneeretsengebeurt niet alleen in het doelgebied, maar strekt zich ook naar beneden uit langs de randen van de fotoresist. Dit fenomeen kan hellende zijwanden veroorzaken, waardoor de maatnauwkeurigheid van het apparaat wordt beïnvloed. Het beheersen van de gasstroom en de etstijd helpt het optreden van ondersnijding te verminderen.

Selectiviteit

Selectiviteit is de verhouding vanetsentarieven tussen twee verschillende materialen onder dezelfde omstandigheden. Een hoge selectiviteit maakt een nauwkeurigere controle mogelijk over welke delen worden geëtst en welke behouden blijven, wat cruciaal is voor het creëren van complexe meerlaagse structuren.

Uniformiteit

Uniformiteit meet de consistentie van etseffecten over een hele wafer of tussen batches. Een goede uniformiteit zorgt ervoor dat elke chip vergelijkbare elektrische kenmerken heeft.

Beeldverhouding

De beeldverhouding wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de hoogte en de breedte van het kenmerk. Naarmate de technologie evolueert, is er een toenemende vraag naar hogere beeldverhoudingen om apparaten compacter en efficiënter te maken. Dit brengt echter uitdagingen met zich mee vooretsen, omdat het het behoud van de verticaliteit vereist en tegelijkertijd overmatige erosie aan de bodem vermijdt.

Hoe werken isotroop en anisotroop?EtsenVerschillen?

Isotroopetsenkomt gelijkmatig voor in alle richtingen en is geschikt voor bepaalde specifieke toepassingen. Anisotroop etsen daarentegen vordert voornamelijk in verticale richting, waardoor het ideaal is voor het creëren van nauwkeurige driedimensionale structuren. Bij de moderne productie van geïntegreerde schakelingen wordt vaak de voorkeur gegeven aan het laatste vanwege een betere vormcontrole.

Semicorex biedt hoogwaardige SiC/TaC-oplossingen voor halfgeleidersICP/PSS-etsen en plasma-etsenproces. Als u vragen heeft of aanvullende informatie nodig heeft, aarzel dan niet om contact met ons op te nemen.

Neem contact op met telefoonnummer +86-13567891907

E-mail: sales@semicorex.com