> Nieuws

Nieuws

Over defecten in SiC-kristallen - Micropipe

SiC-substraat kan microscopische defecten vertonen, zoals Threading Screw Dislocation (TSD), Threading Edge Dislocation (TED), Base Plane Dislocation (BPD) en andere. Deze defecten worden veroorzaakt door afwijkingen in de rangschikking van atomen op atomair niveau. SiC-kristallen kunnen ook macrosc......

Lees verder

Waarom kiezen voor de epitaxiemethode in de vloeibare fase?

Vergeleken met de PVT-methode heeft de vloeistoffasemethode voor het kweken van SiC de volgende voordelen:

Lees verder

Wat is vloeistoffase-epitaxie?

De vloeistoffasemethode ligt dichter bij de thermodynamische evenwichtsomstandigheden en kan SiC-kristallen met betere kwaliteit laten groeien.

Lees verder

TaC-coating

Volgens de onderzoeksresultaten kan de TaC-coating fungeren als een beschermings- en isolatielaag om de levensduur van grafietcomponenten te verlengen, de radiale temperatuuruniformiteit te verbeteren, de SiC-sublimatie-stoichiometrie te behouden, de migratie van onzuiverheden te onderdrukken en het......

Lees verder

Wat is CVD-proces in halfgeleiders?

Chemische dampafzetting CVD verwijst naar de introductie van twee of meer gasvormige grondstoffen in een reactiekamer onder vacuüm en hoge temperatuuromstandigheden, waar de gasvormige grondstoffen met elkaar reageren om een nieuw materiaal te vormen, dat op het waferoppervlak wordt afgezet.

Lees verder

Overzicht van de ontwikkeling van de fotovoltaïsche industrie

Tegen 2027 zal fotovoltaïsche zonne-energie (PV) steenkool inhalen als 's werelds grootste geïnstalleerde capaciteit. De cumulatieve geïnstalleerde capaciteit van zonne-energie zal in onze voorspelling bijna verdrievoudigen, met bijna 1.500 gigawatt groeien in deze periode, en zal aardgas in 2026 en......

Lees verder

<...31 32 33 34 35...37 >