Waarom buigen de zijwanden tijdens droog etsen?

Droog etsen is doorgaans een proces dat fysische en chemische acties combineert, waarbij ionenbombardement een cruciale fysieke etstechniek is. Tijdens het etsen kunnen de invalshoek en de energieverdeling van ionen ongelijkmatig zijn.

Een ongelijkmatige dikte van de fotolak, een inconsistent verbruik tijdens het etsen of variaties in de hechting tussen de fotolak en het substraat op verschillende locaties kunnen allemaal leiden tot een ongelijkmatige bescherming van de zijwanden tijdens het etsen.

Fotoresist fungeert als masker bij droog etsen en beschermt gebieden die niet geëtst hoeven te worden. Fotoresist wordt echter ook beïnvloed door plasmabombardementen en chemische reacties tijdens het etsen, en de eigenschappen ervan kunnen veranderen.

Een ongelijkmatige dikte van de fotolak, een inconsistent verbruik tijdens het etsen of variaties in de hechting tussen de fotolak en het substraat op verschillende locaties kunnen allemaal leiden tot een ongelijkmatige bescherming van de zijwanden tijdens het etsen. In gebieden met een dunnere of zwakkere fotoresisthechting kan het onderliggende materiaal bijvoorbeeld gemakkelijker worden geëtst, wat op deze locaties tot buiging van de zijwand kan leiden.

Substraatmateriaalkenmerken Verschillen

Het substraatmateriaal dat wordt geëtst kan verschillen in kenmerken vertonen, zoals variërende kristaloriëntaties en doteringsconcentraties in verschillende gebieden. Deze verschillen zijn van invloed op de etssnelheden en selectiviteit.

Als we kristallijn silicium als voorbeeld nemen, verschilt de rangschikking van siliciumatomen per kristaloriëntatie, wat resulteert in variaties in reactiviteit met het etsgas en etssnelheden. Tijdens het etsen leiden deze verschillen in materiaaleigenschappen tot inconsistente etsdieptes op verschillende locaties op de zijwanden, waardoor uiteindelijk buiging van de zijwand ontstaat.

Apparatuurgerelateerde factoren

De prestaties en staat van de etsapparatuur hebben ook een aanzienlijke invloed op de etsresultaten. Een ongelijkmatige plasmaverdeling binnen de reactiekamer en een ongelijkmatige elektrodeslijtage kunnen bijvoorbeeld een ongelijkmatige verdeling van parameters zoals ionendichtheid en energie op het waferoppervlak tijdens het etsen veroorzaken.

Bovendien kunnen ongelijkmatige temperatuurregeling en kleine fluctuaties in de gasstroomsnelheid ook de etsuniformiteit beïnvloeden, wat verder bijdraagt ​​aan het buigen van de zijwand.

Semicorex biedt hoogwaardige kwaliteitCVD SiC-componentenvoor etsen. Als u vragen heeft of aanvullende informatie nodig heeft, aarzel dan niet om contact met ons op te nemen.

Neem contact op met telefoonnummer +86-13567891907

E-mail: sales@semicorex.com