De kernparameters bij droogetsen

Droogetsen is een belangrijke technologie in de productieprocessen van micro-elektromechanische systemen. De prestaties van het droge etsproces oefenen een directe invloed uit op de structurele precisie en operationele prestaties van halfgeleiderapparaten. Om het etsproces nauwkeurig te kunnen controleren, moet bijzondere aandacht worden besteed aan de volgende kernevaluatieparameters.

1. Ets opnieuw

De etssnelheid verwijst naar de dikte van het geëtste materiaal per tijdseenheid (eenheden: nm/min of μm/min). De waarde ervan heeft rechtstreeks invloed op de etsefficiëntie, en een lage etssnelheid zal de productiecyclus verlengen. Opgemerkt moet worden dat apparatuurparameters, materiaaleigenschappen en etsgebied allemaal de etssnelheid beïnvloeden.

2. Selectiviteit

De beeldverhouding is, zoals de naam al doet vermoeden, de verhouding tussen de etsdiepte en de openingsbreedte. Structuren met een aspectverhouding zijn een kernvereiste voor 3D-apparaten in MEMS en moeten worden geoptimaliseerd door middel van gasverhouding en vermogensregeling om verslechtering van de bodemsnelheid te voorkomen.

3. Uniformiteit

Uniformiteit binnen de wafel is de snelheidsconsistentie op verschillende locaties binnen dezelfde wafel, wat leidt tot maatafwijkingen in halfgeleiderapparaten. Terwijl uniformiteit tussen wafers verwijst naar de snelheidsconsistentie tussen verschillende wafers, wat batch-tot-batch nauwkeurigheidsschommelingen kan veroorzaken.

4. Kritieke dimensie

De kritische dimensie verwijst naar de geometrische parameters van microstructuren zoals lijnbreedte, sleufbreedte en gatdiameter.

5. Beeldverhouding

De beeldverhouding is, zoals de naam al doet vermoeden, de verhouding tussen de etsdiepte en de openingsbreedte. Structuren met een aspectverhouding zijn een kernvereiste voor 3D-apparaten in MEMS en moeten worden geoptimaliseerd door middel van gasverhouding en vermogensregeling om verslechtering van de bodemsnelheid te voorkomen.

6. Schade etsen

Etsschade zoals overetsen, ondersnijden en zijetsen kan de maatnauwkeurigheid verminderen (bijv. afwijking in de elektrodeafstand, vernauwing van vrijdragende balken).

7. Laadeffect

Het laadeffect verwijst naar het fenomeen dat de etssnelheid niet-lineair verandert met variabelen zoals het gebied en de lijnbreedte van het geëtste patroon. Met andere woorden, verschillende geëtste gebieden of lijnbreedtes zullen leiden tot verschillen in snelheid of morfologie.

Semicorex is gespecialiseerd inSiC-gecoatEnTaC-gecoatgrafietoplossingen toegepast in etsprocessen bij de productie van halfgeleiders. Als u vragen heeft of aanvullende informatie nodig heeft, aarzel dan niet om contact met ons op te nemen.

Contacttelefoon: +86-13567891907

E-mail: sales@semicorex.com