Waarom wordt CO2 geïntroduceerd tijdens het waferzaagproces?

Het introduceren van CO₂ in het snijwater is een belangrijke technische maatregel in het waferzaagproces om de accumulatie van statische elektriciteit te onderdrukken en verontreiniging te verminderen, waardoor de snijopbrengst en de betrouwbaarheid van de chips worden verbeterd.

Elimineer statische elektriciteit

DewafeltjeHet snijproces vereist het gebruik van roterende diamantbladen met hoge snelheid voor het snijden, terwijl DI-water wordt gespoten voor koeling en reiniging. Tijdens dit proces genereert wrijving een grote hoeveelheid statische lading. Tegelijkertijd ondergaat DI-water een zwakke ionisatie tijdens hogedrukspuiten en botsingen, waardoor een klein aantal ionen ontstaat. Siliciummateriaal zelf heeft de eigenschap dat het gemakkelijk elektrische lading accumuleert. Als deze statische elektriciteit niet onder controle wordt gehouden, kan de spanning oplopen tot meer dan 500 V, wat leidt tot elektrostatische ontlading. Dit kan niet alleen de metalen bedrading van het circuit beschadigen of diëlektrische scheuren tussen de lagen veroorzaken, maar er ook voor zorgen dat siliciumstof de wafer vervuilt als gevolg van elektrostatische adsorptie of problemen met het losmaken van de verbinding bij de verbindingsvlakken veroorzaakt.

Wanneer CO₂ in water wordt gebracht, lost het op en vormt het H₂CO₃. H₂CO₃ ondergaat ionisatie om H⁺ en HCO₃⁻ te produceren, wat de geleidbaarheid van het water aanzienlijk verhoogt terwijl de soortelijke weerstand effectief wordt verlaagd. Deze verhoogde geleidbaarheid maakt een snelle geleiding van statische ladingen via de waterstroom naar de aarde mogelijk, waardoor ladingsaccumulatie wordt voorkomen. Bovendien kan CO₂, als zwak elektronegatief gas, worden geïoniseerd in omgevingen met hoge energie om geladen deeltjes te genereren (zoals CO₂⁺ en O⁻). Deze deeltjes kunnen de lading van waferoppervlakken of stof neutraliseren, waardoor het risico op elektrostatische adsorptie en elektrostatische ontlading wordt verminderd.

Verminder vervuiling en bescherm oppervlakken

Siliciumstof gegenereerd tijdens dewafeltjeHet zaagproces kan statische elektriciteit accumuleren, die zich aan het wafer- of apparatuuroppervlak kan hechten en tot verontreiniging kan leiden. Tegelijkertijd, als het koelwater alkalisch is, zullen metaaldeeltjes (zoals Fe-, Ni- en Cr-ionen in roestvrij staal) hydroxideneerslagen vormen. Hydroxideprecipitaten worden afgezet op het waferoppervlak of in de snijkanalen, waardoor de chipkwaliteit wordt beïnvloed.

Wanneer CO₂ wordt geïntroduceerd, neutraliseert het elektrische ladingen, waardoor de elektrostatische kracht tussen stof en oppervlakken wordt verzwakt. Ondertussen voorkomt de CO₂-luchtstroom secundaire hechting door stof in het snijgebied te verspreiden. De toevoeging van CO₂ creëert ook een lichtzure omgeving die de neerslag van metaalionen tegengaat, waardoor ze opgelost blijven en de waterstroom ze kan afvoeren. Omdat CO₂ een inert gas is, vermindert het bovendien het contact tussen siliciumstof en zuurstof, waardoor oxidatie en agglomeratie van stof wordt voorkomen en de zuiverheid van de snijomgeving verder wordt verbeterd.

Semicorex biedt hoge kwaliteitwafelsvoor onze gewaardeerde klanten. Als u vragen heeft of aanvullende informatie nodig heeft, aarzel dan niet om contact met ons op te nemen.

Neem contact op met telefoonnummer +86-13567891907

E-mail: sales@semicorex.com