LPE-apparatuur

Op het gebied van de fabricage van halfgeleiderapparaten is de nauwkeurige controle van de kristalgroei van cruciaal belang voor het verkrijgen van hoogwaardige en betrouwbare apparaten. Eén techniek die in dit domein een centrale rol heeft gespeeld, is Liquid-Phase Epitaxy (LPE).

Fundamentele principes van LPE:

Epitaxie verwijst in het algemeen naar de groei van een kristallijne laag op een substraat met een vergelijkbare roosterstructuur. LPE, een opmerkelijke epitaxiale techniek, omvat het gebruik van een oververzadigde oplossing van het te kweken materiaal. Het substraat, doorgaans enkelkristallijn, wordt gedurende een bepaalde tijd met deze oplossing in contact gebracht. Wanneer de roosterconstanten van het substraat en het te kweken materiaal nauw op elkaar zijn afgestemd, slaat het materiaal neer op het substraat terwijl de kristallijne kwaliteit behouden blijft. Dit proces resulteert in de vorming van een op het rooster afgestemde epitaxiale laag.

LPE-apparatuur:

Voor LPE zijn verschillende soorten groeiapparaten ontwikkeld, die elk unieke voordelen bieden voor specifieke toepassingen:

Kipoven:

Het substraat wordt aan het ene uiteinde van een grafietboot in een kwartsbuis geplaatst.

De oplossing bevindt zich aan het andere uiteinde van de grafietboot.

Een thermokoppel dat op de boot is aangesloten, regelt de oventemperatuur.

De waterstofstroom door het systeem voorkomt oxidatie.

De oven wordt langzaam gekanteld om de oplossing in contact te brengen met het substraat.

Nadat de gewenste temperatuur is bereikt en de epitaxiale laag is gegroeid, wordt de oven teruggekanteld naar zijn oorspronkelijke positie.

Verticale oven:

In deze configuratie wordt het substraat in de oplossing gedompeld.

Deze methode biedt een alternatieve benadering van de kanteloven, waarbij het noodzakelijke contact tussen het substraat en de oplossing wordt bereikt.

Multibin-oven:

In dit apparaat worden meerdere oplossingen in opeenvolgende bakken bewaard.

Het substraat kan in contact worden gebracht met verschillende oplossingen, waardoor de opeenvolgende groei van verschillende epitaxiale lagen mogelijk is.

Dit type oven wordt op grote schaal gebruikt voor het vervaardigen van complexe structuren zoals die nodig zijn voor laserapparaten.

Toepassingen van LPE:

Sinds de eerste demonstratie in 1963 is LPE met succes toegepast bij de fabricage van verschillende III-V-samengestelde halfgeleiderapparaten. Deze omvatten injectielasers, lichtgevende diodes, fotodetectoren, zonnecellen, bipolaire transistors en veldeffecttransistors. De veelzijdigheid en het vermogen om hoogwaardige, op roosters afgestemde epitaxiale lagen te produceren, maken LPE tot een hoeksteen in de ontwikkeling van geavanceerde halfgeleidertechnologieën.

Liquid-Phase Epitaxy is een bewijs van de vindingrijkheid en precisie die vereist is bij de fabricage van halfgeleiderapparaten. Door de principes van kristallijne groei te begrijpen en de mogelijkheden van LPE-apparatuur te benutten, zijn onderzoekers en ingenieurs erin geslaagd geavanceerde halfgeleiderapparaten te creëren met toepassingen variërend van telecommunicatie tot hernieuwbare energie. Terwijl de technologie zich blijft ontwikkelen, blijft LPE een essentieel instrument in het arsenaal aan technieken die de toekomst van halfgeleidertechnologie vormgeven.

Semicorex biedt hoogwaardige kwaliteitCVD SiC-onderdelen voor LPEmet service op maat. Als u vragen heeft of aanvullende informatie nodig heeft, aarzel dan niet om contact met ons op te nemen.

Neem contact op met telefoonnummer +86-13567891907

E-mail: sales@semicorex.com