Wat is CVD voor SiC

Chemische dampafzetting, of CVD, is een veelgebruikte methode voor het maken van dunne films die worden gebruikt bij de fabricage van halfgeleiders.In de context van SiC verwijst CVD naar het proces van het groeien van SiC dunne films of coatings door de chemische reactie van gasvormige voorlopers op een substraat. De algemene stappen bij SiC CVD zijn als volgt:

Substraatvoorbereiding: Het substraat, meestal een siliciumwafel, wordt gereinigd en voorbereid om een ​​schoon oppervlak voor de SiC-afzetting te garanderen.

Bereiding van voorlopergas: er worden gasvormige voorlopers bereid die silicium- en koolstofatomen bevatten. Gebruikelijke voorlopers zijn silaan (SiH4) en methylsilaan (CH3SiH3).

Reactoropstelling: het substraat wordt in een reactorkamer geplaatst en de kamer wordt geëvacueerd en gespoeld met een inert gas, zoals argon, om onzuiverheden en zuurstof te verwijderen.

Afzettingsproces: de voorlopergassen worden in de reactorkamer gebracht, waar ze chemische reacties ondergaan om SiC op het substraatoppervlak te vormen. De reacties worden meestal uitgevoerd bij hoge temperaturen (800-1200 graden Celsius) en onder gecontroleerde druk.

Filmgroei: de SiC-film groeit geleidelijk op het substraat terwijl de voorlopergassen reageren en SiC-atomen afzetten. De groeisnelheid en filmeigenschappen kunnen worden beïnvloed door verschillende procesparameters, zoals temperatuur, precursorconcentratie, gasstroomsnelheden en druk.

Koeling en nabehandeling: Zodra de gewenste filmdikte is bereikt, wordt de reactor afgekoeld en wordt het met SiC gecoate substraat verwijderd. Aanvullende nabehandelingsstappen, zoals gloeien of polijsten van het oppervlak, kunnen worden uitgevoerd om de eigenschappen van de film te verbeteren of eventuele defecten te verwijderen.

SiC CVD maakt nauwkeurige controle mogelijk over laagdikte, samenstelling en eigenschappen. Het wordt veel gebruikt in de halfgeleiderindustrie voor de productie van op SiC gebaseerde elektronische apparaten, zoals krachtige transistors, diodes en sensoren. Het CVD-proces maakt de depositie mogelijk van uniforme en hoogwaardige SiC-films met uitstekende elektrische geleidbaarheid en thermische stabiliteit, waardoor het geschikt is voor verschillende toepassingen in vermogenselektronica, ruimtevaart, auto-industrie en andere industrieën.

Semicorex major in CVD SiC gecoate producten metwafelhouder/susceptor, SiC-onderdelen, enz.