Wat is SiC-epitaxie?

Siliciumcarbide (SiC) epitaxie is een sleuteltechnologie op het gebied van halfgeleiders, met name voor de ontwikkeling van krachtige elektronische apparaten. SiC is een samengestelde halfgeleider met een brede bandgap, waardoor het ideaal is voor toepassingen die een werking bij hoge temperatuur en hoge spanning vereisen.

SiC-epitaxie is een proces waarbij een dunne laag kristallijn materiaal op een substraat, meestal silicium, groeit met behulp van chemische dampafzetting (CVD) of moleculaire bundelepitaxie (MBE) technieken. De epitaxiale laag heeft dezelfde kristalstructuur en oriëntatie als het substraat, waardoor een hoogwaardige interface tussen de twee materialen kan worden gevormd.

SiC-epitaxie wordt veel gebruikt bij de ontwikkeling van vermogenselektronica, waaronder vermogensapparaten zoals diodes, transistors en thyristors. Deze apparaten worden gebruikt in een breed scala aan toepassingen, zoals elektrische voertuigen, systemen voor hernieuwbare energie en voedingen.

In de afgelopen jaren is er een groeiende belangstelling voor de ontwikkeling van SiC-epitaxie voor de fabricage van krachtige apparaten voor toepassingen zoals elektrische voertuigen en systemen voor hernieuwbare energie. De verwachting is dat de vraag naar deze apparaten de komende jaren snel zal groeien, gedreven door de behoefte aan efficiëntere en duurzamere energiesystemen.

Als antwoord op deze vraag investeren onderzoekers en bedrijven in de ontwikkeling van SiC-epitaxietechnologie, met de nadruk op het verbeteren van de kwaliteit en het verlagen van de kosten van het proces. Sommige bedrijven ontwikkelen bijvoorbeeld SiC-epitaxie op grotere substraten om de kosten per wafer te verlagen, terwijl andere nieuwe technieken onderzoeken om de dichtheid van defecten te verminderen.

SiC-epitaxie wordt ook gebruikt bij de ontwikkeling van geavanceerde sensoren voor een reeks toepassingen, waaronder gasdetectie, temperatuurdetectie en drukdetectie. SiC heeft unieke eigenschappen die het ideaal maken voor deze toepassingen, zoals stabiliteit bij hoge temperaturen en weerstand tegen ruwe omgevingen.