Epitaxiaal waferproces is een kritische techniek die wordt gebruikt bij de productie van halfgeleiders. Het omvat de groei van een dunne laag kristalmateriaal bovenop een substraat, dat dezelfde kristalstructuur en oriëntatie heeft als het substraat. Dit proces creëert een hoogwaardige interface tussen de twee materialen, waardoor geavanceerde elektronische apparaten kunnen worden ontwikkeld.

Het epitaxiale wafelproces wordt gebruikt bij de productie van verschillende halfgeleiderapparaten, waaronder diodes, transistors en geïntegreerde schakelingen. Het proces wordt meestal uitgevoerd met behulp van chemische dampafzetting (CVD) of moleculaire bundelepitaxie (MBE) technieken. Bij deze technieken worden materiaalatomen op het substraatoppervlak afgezet, waar ze een kristallijne laag vormen.

Het epitaxiale wafelproces is een complexe en nauwkeurige techniek die strikte controle vereist over verschillende parameters zoals temperatuur, druk en gasstroomsnelheid. De groei van de epitaxiale laag moet zorgvuldig worden gecontroleerd om de vorming van een hoogwaardige kristalstructuur met een lage defectdichtheid te garanderen.

De kwaliteit van het epitaxiale waferproces is cruciaal voor de prestaties van het resulterende halfgeleiderapparaat. De epitaxiale laag moet een uniforme dikte, lage defectdichtheid en een hoge mate van zuiverheid hebben om optimale elektronische eigenschappen te garanderen. De dikte en het doteringsniveau van de epitaxiale laag kunnen nauwkeurig worden geregeld om de gewenste eigenschappen, zoals geleidbaarheid en bandgap, te bereiken.

In de afgelopen jaren is het epitaxiale waferproces steeds belangrijker geworden bij de productie van hoogwaardige halfgeleiderapparaten, met name op het gebied van vermogenselektronica. De vraag naar hoogwaardige apparaten met verbeterde efficiëntie en betrouwbaarheid heeft geleid tot de ontwikkeling van geavanceerde epitaxiale waferprocessen.

Het epitaxiale wafelproces wordt ook gebruikt bij de ontwikkeling van geavanceerde sensoren, waaronder temperatuursensoren, gassensoren en druksensoren. Deze sensoren vereisen kristallijne lagen van hoge kwaliteit met specifieke elektronische eigenschappen, die kunnen worden bereikt door het epitaxiale waferproces.