Siliciumcarbide (SiC) keramiek is een type geavanceerd keramisch materiaal dat bekend staat om zijn uitzonderlijke eigenschappen en brede toepassingsmogelijkheden. Het is samengesteld uit silicium (Si) en koolstof (C) atomen gerangschikt in een kristalroosterstructuur, resulterend in een hard en ste......
Lees verderEen P-type siliciumcarbide (SiC) wafer is een halfgeleidersubstraat dat is gedoteerd met onzuiverheden om een P-type (positieve) geleidbaarheid te creëren. Siliciumcarbide is een halfgeleidermateriaal met brede bandgap dat uitzonderlijke elektrische en thermische eigenschappen biedt, waardoor het ......
Lees verderGrafietsusceptor is een van de essentiële onderdelen in de MOCVD-apparatuur, is de drager en de verwarmer van het wafelsubstraat. De eigenschappen van thermische stabiliteit en thermische uniformiteit spelen een beslissende rol in de kwaliteit van de epitaxiale groei van de wafel, die direct de unif......
Lees verderOp het gebied van hoogspanning, met name voor hoogspanningsapparaten van meer dan 20.000 V, staat de SiC-epitaxiale technologie nog steeds voor verschillende uitdagingen. Een van de grootste moeilijkheden is het bereiken van een hoge uniformiteit, dikte en doteringsconcentratie in de epitaxiale laag......
Lees verder