Aluminium nitride -substraten

Definities van semicorex aluminium nitride-substraten wijzen op siliciumgebaseerde aluminiumnitridesjablonen. Naarmate het tijdperk van 5G zich ontvouwt, winnen hoogfrequente toepassingen snel aan kracht. Uitbreiding en ontwikkeling van 5G -netwerken push -eisen voor steeds vaker frequentiebanden samen met hogere operationele frequenties. De golf heeft van zijn deel evenredig verhoogde vereisten in zowel kwantiteit als kwaliteit van RF -filters. Het mogelijk is om de krachtige RF-filterproductie-industrie mogelijk te maken, is een essentiële vereiste voor piëzo-elektrische substraatmaterialen met een hoge kwaliteit.

Ultra-brede bandgap halfgeleider aluminium nitride-substraten is een materiaal van immense toepassingspotentieel, vanwege vele uitstekende eigenschappen, als een potentieel materiaal voor geavanceerd gebruik in elektronica en opto-elektronica. De bandgap van maximaal 6,2 eV toont de sterkte -eis voor hoge veldafbraak, hoge verzadiging elektronenafwijkingssnelheid, chemische en thermische stabiliteit. evenals superieure thermische geleidbaarheid en stralingsweerstand. Deze kenmerken maken Aln een onmisbaar materiaal in krachtige elektronische apparaten, met name in 5G-communicatietechnologieën.

Vergeleken met traditionele piëzo -elektrische materialen zoals zinkoxide (ZnO), loodzirkonaattitanaat (PZT) en lithium tantalaat/lithium niobaat (LT/LN), vertonen aluminium nitride -substraten uitzonderlijke eigenschappen die ze zeer geschikt maken voor 5G RF -filters. Deze eigenschappen omvatten een hoge elektrische weerstand, uitstekende thermische geleidbaarheid, superieure stabiliteit en een ultrasnelle akoestische golfvoortplantingssnelheid. In het bijzonder bereikt de longitudinale golfsnelheid van ALN ​​ongeveer 11.000 m/s, terwijl de transversale golfsnelheid ongeveer 6.000 m/s is. Deze kenmerken positioneren Aln als een van de meest ideale piëzo-elektrische materialen voor hoogwaardige oppervlakte-akoestische golf (SAW), bulk akoestische golf (BAW) en filmbulk akoestische resonator (FBAR) RF-filters.

De aluminium nitride-substraten zijn voornamelijk ontworpen voor de piëzo-elektrische materiaalmarkt in 5G RF front-end filters. De kwaliteits- en belangrijke parameters van dit product zijn rigoureus getest en geverifieerd door gezaghebbende externe instellingen en evaluaties op verwerking op wafelniveau. Deze beoordelingen hebben bevestigd dat het product voldoet en zelfs de internationale normen overschrijdt. Bovendien is de technologie die nodig is voor grootschalige productie al vastgesteld, waardoor stabiele massaproductie en aanbod ervoor zorgen dat aan de markteisen voldoet.

De implementatie van 5G -netwerken vereist het gebruik van zeer efficiënte en betrouwbare RF -filters om het toenemende aantal frequentiebanden te verwerken. ALN-substraten spelen een cruciale rol bij de fabricage van SAW-, BAW- en FBAR-filters, die essentiële componenten zijn in RF front-end modules. Deze filters maken precieze frequentieselectie, signaalversterking en interferentiereductie mogelijk, waardoor soepele en snelle gegevensoverdracht zorgt voor soepele en hoge snelheid in 5G-communicatie-apparaten zoals smartphones, basisstations en IoT-toepassingen.

Bovendien zijn aluminium nitride -substraten niet alleen beperkt tot RF -filters. Ze hebben ook veelbelovende applicaties in stroomelektronica, hoogfrequente transistoren, opto-elektronische apparaten en satellietcommunicatie. Hun vermogen om hoogspanningen te weerstaan ​​en in extreme omstandigheden te werken, maakt ze een aantrekkelijke keuze voor elektronische componenten van de volgende generatie.