Siliciumcarbide (SiC) epitaxie is een sleuteltechnologie op het gebied van halfgeleiders, met name voor de ontwikkeling van krachtige elektronische apparaten. SiC is een samengestelde halfgeleider met een brede bandgap, waardoor het ideaal is voor toepassingen die een werking bij hoge temperatuur en......
Lees verderHalfgeleiders zijn materialen die elektrische eigenschappen tussen geleiders en isolatoren geleiden, met gelijke waarschijnlijkheid van verlies en winst van elektronen in de buitenste laag van de atoomkern, en die gemakkelijk tot PN-overgangen kunnen worden gemaakt. Zoals "silicium (Si)", "germanium......
Lees verder