> Nieuws > Nieuws uit de sector

Nieuws uit de sector

Welke uitdagingen zijn er betrokken bij de productie van SiC?

In het landschap van halfgeleidermaterialen met een grote bandafstand is siliciumcarbide (SiC) een hoog aangeschreven materiaal geworden, dat vooral uitblinkt op het gebied van conversie met hoog vermogen.

Lees verder

Wat is halfgeleiderionenimplantatietechnologie?

Bij de productie van halfgeleiders omvat ionenimplantatie het gebruik van hoogenergetische versnellers om specifieke onzuiverheidsatomen, zoals arseen of boor, in een siliciumsubstraat te injecteren.

Lees verder

Gloeien

Uitgloeien na ionenimplantatie is een belangrijke stap in de productie van halfgeleiderapparaten, die de prestaties en betrouwbaarheid van het apparaat beïnvloedt.

Lees verder

AlN-kristalgroei volgens PVT-methode

De derde generatie halfgeleidermaterialen met een grote bandafstand, waaronder galliumnitride (GaN), siliciumcarbide (SiC) en aluminiumnitride (AlN), vertonen uitstekende elektrische, thermische en akoesto-optische eigenschappen. Deze materialen pakken de beperkingen van de eerste en tweede generati......

Lees verder

SiGe en Si selectieve etstechnologie

Een cruciale stap in de fabricage van n-type GAAFET's omvat het etsen met hoge selectiviteit van SiGe:Si-stapels voorafgaand aan de afzetting van binnenste afstandhouders, waardoor siliciumnanoplaten worden gegenereerd en kanalen worden vrijgegeven.

Lees verder

SiGe in chipproductie: een professioneel nieuwsrapport

Om te voldoen aan de vraag naar hoge prestaties en een laag stroomverbruik op het gebied van de moderne halfgeleidertechnologie, is SiGe (Silicon Germanium) naar voren gekomen als een composietmateriaal bij uitstek bij de productie van halfgeleiderchips vanwege zijn unieke fysieke en elektrische eig......

Lees verder

<...4 5 6 7 8...31 >