Thuis > Producten > Siliciumcarbide gecoat > SiC-epitaxie > SiC Epi-Wafer-receptor
SiC Epi-Wafer-receptor
  • SiC Epi-Wafer-receptorSiC Epi-Wafer-receptor
  • SiC Epi-Wafer-receptorSiC Epi-Wafer-receptor
  • SiC Epi-Wafer-receptorSiC Epi-Wafer-receptor
  • SiC Epi-Wafer-receptorSiC Epi-Wafer-receptor
  • SiC Epi-Wafer-receptorSiC Epi-Wafer-receptor

SiC Epi-Wafer-receptor

Semicorex is een grootschalige fabrikant en leverancier van siliciumcarbide gecoate grafiet susceptor in China. We richten ons op halfgeleiderindustrieën zoals siliciumcarbidelagen en epitaxie-halfgeleiders. Onze SiC Epi-Wafer Susceptor heeft een goed prijsvoordeel en bestrijkt veel van de Europese en Amerikaanse markten. Wij kijken ernaar uit om uw langetermijnpartner te worden.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Semicorex levert SiC Epi-Wafer Susceptor gecoat door MOCVD, gebruikt om wafers te ondersteunen. Hun uiterst zuivere, met siliciumcarbide (SiC) gecoate grafietconstructie biedt superieure hittebestendigheid, gelijkmatige thermische uniformiteit voor consistente dikte en weerstand van de epilaag, en duurzame chemische bestendigheid. De fijne SiC-kristalcoating zorgt voor een schoon, glad oppervlak, dat van cruciaal belang is bij het hanteren, omdat onberispelijke wafers op veel punten over hun hele oppervlak in contact komen met de susceptor.
Onze SiC Epi-Wafer Susceptor is ontworpen om het beste laminaire gasstroompatroon te bereiken, waardoor een gelijkmatig thermisch profiel wordt gegarandeerd. Dit helpt eventuele verontreiniging of verspreiding van onzuiverheden te voorkomen, waardoor epitaxiale groei van hoge kwaliteit op de waferchip wordt gegarandeerd.
Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over onze SiC Epi-Wafer Susceptor.


Parameters van SiC Epi-Wafer Susceptor

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating

SiC-CVD-eigenschappen

Kristalstructuur

FCC β-fase

Dikte

g/cm³

3.21

Hardheid

Vickers-hardheid

2500

Korrelgrootte

urn

2~10

Chemische zuiverheid

%

99.99995

Warmtecapaciteit

J kg-1 K-1

640

Sublimatie temperatuur

2700

Flexurale kracht

MPa (RT 4-punts)

415

Young's Modulus

Gpa (4pt bocht, 1300℃)

430

Thermische uitzetting (CTE)

10-6K-1

4.5

Thermische geleidbaarheid

(W/mK)

300


Kenmerken van SiC Epi-Wafer Susceptor

Zeer zuiver SiC-gecoat grafiet
Superieure hittebestendigheid en thermische uniformiteit
Fijne SiC-kristalcoating voor een glad oppervlak
Hoge duurzaamheid tegen chemische reiniging
Het materiaal is zo ontworpen dat scheuren en delaminatie niet optreden.




Hottags: SiC Epi-Wafer Susceptor, China, fabrikanten, leveranciers, fabriek, aangepast, bulk, geavanceerd, duurzaam
Gerelateerde categorie
Stuur onderzoek
Stel gerust uw vraag via onderstaand formulier. Wij zullen u binnen 24 uur antwoorden.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept