SiC-focusring

Semicorex SiC Focus Ring is een nauwkeurig ontworpen ringvormig onderdeel, vervaardigd uit zeer zuiver siliciumcarbide. De SiC Focus Ring is ontworpen voor geavanceerde halfgeleiderverwerkingstoepassingen. Hoogzuiver siliciumcarbide levert uitstekende prestaties op het gebied van thermische stabiliteit (hoog smeltpunt), mechanische duurzaamheid (hoge hardheid) en elektrische geleidingseigenschappen, wat van cruciaal belang is om te voldoen aan de specificaties van veel technologieën voor de vervaardiging van wafels van de volgende generatie. SiC Focus Ring zijn componenten die worden aangetroffen in componenten voor plasma-etsen en afzettingskamers, en spelen een essentiële rol bij het controleren van de plasmadistributie, het bereiken van wafeluniformiteit en het rendement bij massaproductie.

De materiaalzuiverheid en elektrische prestaties van de SiC Focus Ring zijn enkele van de meest kritische factoren die dit onderdeel definiëren en onderscheiden van keramische materialen. Hoge zuiverheidsiliciumcarbideis anders dan traditionele keramische materialen, omdat het een combinatie biedt van 

hardheid en weerstand tegen vele chemicaliën en unieke elektrische eigenschappen. Wat nog belangrijker is, is dat hoogzuiver siliciumcarbide kan worden ontwikkeld met behulp van doteermiddelen en verwerkingsmethoden om de meest geschikte niveaus van geleidende of beledigende prestaties te produceren met de ideale halfgeleidende balans voor interactie met het plasma, waardoor stabiele prestaties mogelijk zijn in omgevingen met hoge energie waar ladingsopbouw en elektrische onbalans waarschijnlijk procesfouten veroorzaken.

Door het randeffect van plasma is de dichtheid hoger in het midden en lager aan de randen. De focusring genereert door zijn ringvorm en de materiaaleigenschappen van CVD SiC een specifiek elektrisch veld. Dit veld geleidt en beperkt de geladen deeltjes (ionen en elektronen) in het plasma naar het wafeloppervlak, vooral aan de rand. Dit verhoogt effectief de plasmadichtheid aan de rand, waardoor deze dichter bij die in het midden komt. Dit verbetert de etsuniformiteit over de wafer aanzienlijk, vermindert randbeschadiging en verhoogt de opbrengst.

Mercury Manufacturing verwerkt de SiC Focus Ring met behulp van geavanceerde bewerkings- en polijstprocessen die nauwe maattoleranties en een gladde oppervlakteafwerking bereiken. De maatnauwkeurigheid van deze componenten maakt compatibiliteit met de verschillende leveranciers van halfgeleiderapparatuur mogelijk om uitwisselbaarheid tussen vele plasma-ets- en depositiesystemen te garanderen. Er kunnen ook aangepaste ontwerpen worden ontwikkeld om te voldoen aan specifieke procesvereisten, waaronder ringdikte, binnen- en buitendiameter en niveaus van oppervlaktegeleiding.

Toepassingen van SiC Focus Ring bestrijken een breed scala aan halfgeleiderfabricage: DRAM, NAND-flash, logische apparaten en nieuwe vermogenshalfgeleidertechnologieën. Naarmate de geometrieën van apparaten kleiner worden en zich blijven ontwikkelen door procesknooppunten, wordt de behoefte aan zeer betrouwbare stabiele kamercomponenten zoals de SiC Focus Ring van cruciaal belang. De SiC Focus Ring biedt exacte controle over het plasma en verbetert consequent de waferkwaliteit, waardoor de ambities van de industrie naar steeds kleinere, snellere en efficiënte elektronische apparaten worden bevorderd. Semicorex SiC Focus Ring definieert het kruispunt van materiaalkunde, precisie-engineering en de evolutie van halfgeleiderprocessen. De SiC-focusring heeft uitstekende thermische stabiliteit, superieure chemische bestendigheid en vrijwel specifieke elektrische geleidbaarheid. Deze kenmerken maken het tot een cruciaal onderdeel bij het garanderen van betrouwbaarheid en rendement tijdens processen.