4" galliumoxidesubstraten

Semicorex 4" Gallium Oxide Substraten vertonen uitstekende chemische en thermische stabiliteit, waardoor de prestaties consistent en betrouwbaar blijven, zelfs onder extreme omstandigheden. Deze robuustheid is cruciaal in toepassingen met hoge temperaturen en reactieve omgevingen. Bovendien behouden de 4" Gallium Oxide Substraten een uitstekende optische transparantie. over een breed golflengtebereik van ultraviolet tot infrarood, waardoor het aantrekkelijk is voor opto-elektronische toepassingen, waaronder lichtgevende diodes en laserdiodes.

Met een bandafstand variërend van 4,7 tot 4,9 eV overtreffen de 4" galliumoxidesubstraten aanzienlijk siliciumcarbide (SiC) en galliumnitride (GaN) wat betreft kritische elektrische veldsterkten, met een bereik tot 8 MV/cm vergeleken met SiC's 2,5 MV/cm en GaN's 3,3 MV/cm. Deze eigenschap, gecombineerd met een elektronenmobiliteit van 250 cm²/Vs en verbeterde transparantie bij het geleiden van elektriciteit, geeft de 4" Gallium Oxide Substraten een aanzienlijke voorsprong op het gebied van vermogenselektronica. Het verdienstecijfer van de Baliga overschrijdt de 3000, meerdere malen dat van GaN en SiC, wat wijst op een superieure efficiëntie in energietoepassingen.

Semicorex 4" galliumoxidesubstraten zijn bijzonder voordelig voor gebruik in communicatie, radar, ruimtevaart, hogesnelheidstreinen en nieuwe energievoertuigen. Ze zijn uitzonderlijk geschikt voor stralingsdetectiesensoren in deze sectoren, vooral in hoog vermogen, hoge temperaturen, en hoogfrequente apparaten waarbij Ga2O3 aanzienlijke voordelen biedt ten opzichte van SiC en GaN.