Ga2O3-substraat

Ga2O3 onderscheidt zich als een halfgeleider met een brede bandafstand, die stabiliteit en veerkracht garandeert in extreme omstandigheden, waardoor het ideaal is voor omgevingen met hoge temperaturen en hoge straling.

Met een hoge doorslagveldsterkte en uitzonderlijke Baliga-waarden blinkt Ga2O3 uit in toepassingen met hoge spanning en hoog vermogen, en biedt het ongeëvenaarde betrouwbaarheid en lage vermogensverliezen.

Ga2O3 overtreft traditionele materialen met zijn superieure vermogensprestaties. De Baliga-waarden voor Ga2O3 zijn vier keer zo hoog als die van GaN en tien keer zo hoog als die van SiC, wat zich vertaalt in uitstekende geleidingseigenschappen en energie-efficiëntie. Ga2O3-apparaten vertonen vermogensverliezen van slechts 1/7e van SiC en een indrukwekkend 1/49e van de op silicium gebaseerde apparaten.

De lagere hardheid van Ga2O3 vergeleken met SiC vereenvoudigt het productieproces, wat resulteert in lagere verwerkingskosten. Dit voordeel positioneert Ga2O3 als een kosteneffectief alternatief voor diverse toepassingen.

Ga2O3 wordt gekweekt met behulp van een smeltmethode in de vloeibare fase en beschikt over een superieure kristalkwaliteit met een opmerkelijk lage defectdichtheid, waardoor het beter presteert dan SiC, dat wordt gekweekt met behulp van een dampfasemethode.

Ga2O3 vertoont een groeisnelheid die 100 keer sneller is dan SiC, wat bijdraagt ​​aan een hogere productie-efficiëntie en bijgevolg lagere productiekosten.

Toepassingen:

Voedingsapparaten: Ga2O3-substraat staat klaar om een ​​revolutie teweeg te brengen in voedingsapparaten en biedt vier belangrijke mogelijkheden:

Unipolaire apparaten vervangen bipolaire apparaten: MOSFET's vervangen IGBT's in toepassingen zoals nieuwe energievoertuigen, laadstations, hoogspanningsvoedingen, industriële stroomregeling en meer.

Verbeterde energie-efficiëntie: Ga2O3-substraatvoedingsapparaten zijn energiezuinig en sluiten aan bij strategieën voor koolstofneutraliteit en vermindering van de piekkoolstofuitstoot.

Grootschalige productie: Met vereenvoudigde verwerking en kosteneffectieve chipfabricage vergemakkelijkt het Ga2O3-substraat grootschalige productie.

Hoge betrouwbaarheid: Ga2O3-substraat met stabiele materiaaleigenschappen en betrouwbare structuur maakt het geschikt voor toepassingen met hoge betrouwbaarheid, waardoor een lange levensduur en consistente prestaties worden gegarandeerd.

RF-apparaten: Ga2O3-substraat is een gamechanger op de markt voor RF-apparaten (radiofrequentie). De voordelen zijn onder meer:

Kristalkwaliteit: Het Ga2O3-substraat maakt epitaxiale groei van hoge kwaliteit mogelijk, waardoor problemen met roostermismatches die verband houden met andere substraten worden overwonnen.

Kosteneffectieve groei: De kosteneffectieve groei van Ga2O3 op grote substraten, vooral op 6-inch wafers, maakt het een concurrerende optie voor RF-toepassingen.

Potentieel in GaN RF-apparaten: De minimale roostermismatch met GaN positioneert Ga2O3 als een ideaal substraat voor hoogwaardige GaN RF-apparaten.

Omarm de toekomst van halfgeleidertechnologie met Ga2O3 Substrate, waar baanbrekende eigenschappen en grenzeloze mogelijkheden samenkomen. Breng een revolutie teweeg in uw stroom- en RF-toepassingen met een materiaal dat is ontworpen voor uitmuntendheid en efficiëntie.