4 inch N-type SiC-substraat

Semicorex levert diverse soorten 4H en 6H SiC wafers. Wij zijn al jaren fabrikant en leverancier van siliciumcarbideproducten. Ons 4 inch N-type SiC-substraat heeft een goed prijsvoordeel en bestrijkt de meeste Europese en Amerikaanse markten. We kijken ernaar uit om uw langetermijnpartner in China te worden.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Semicorex heeft een complete lijn siliciumcarbide (SiC) waferproducten, inclusief 4H- en 6H-substraten met N-type, P-type en zeer zuivere semi-isolerende wafers, ze kunnen met of zonder epitaxie zijn. 4-inch N-type SiC (siliciumcarbide) substraat is een soort hoogwaardige wafel gemaakt van een enkel kristal van siliciumcarbide met een N-type dotering.

4 Inch N-type SiC-substraat wordt voornamelijk gebruikt in nieuwe energievoertuigen, hoogspanningstransmissie en onderstations, witgoed, hogesnelheidstreinen, elektromotoren, fotovoltaïsche omvormers, gepulseerde voedingen en andere velden, die de voordelen hebben van het verminderen van apparatuur energieverlies, het verbeteren van de betrouwbaarheid van apparatuur, het verkleinen van de apparatuurgrootte en het verbeteren van de prestaties van apparatuur, en hebben onvervangbare voordelen bij het maken van vermogenselektronische apparaten.

Artikelen	Productie	Onderzoek	Dummie
Kristalparameters
Polytype	4U
Fout in oppervlakteoriëntatie	<11-20 >4±0,15°
Elektrische parameters
Doteringsmiddel	n-type stikstof
Weerstand	0,015-0,025 ohm·cm
Mechanische parameters
Diameter	99,5 - 100 mm
Dikte	350±25 μm
Primaire vlakke oriëntatie	[1-100]±5°
Primaire platte lengte	32,5 ± 1,5 mm
Secundaire vlakke positie	90° CW vanaf primair vlak ±5°. silicium naar boven gericht
Secundaire platte lengte	18 ± 1,5 mm
TTV	≤5 μm	≤10 μm	≤20 μm
LTV	≤2 μm (5 mm * 5 mm)	≤5 μm (5 mm * 5 mm)	DAT
Boog	-15μm ~ 15μm	-35μm ~ 35μm	-45μm ~ 45μm
Verdraaien	≤20 μm	≤45 μm	≤50 μm
Voorzijde (Si-gezicht) ruwheid (AFM)	Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)
Structuur
Dichtheid van de micropijp	≤1 ea/cm2	≤5 ea/cm2	≤10 ea/cm2
Metaalonzuiverheden	≤5E10 atomen/cm2		DAT
BPS	≤1500 e/cm2	≤3000 e/cm2	DAT
TSD	≤500 stuks/cm2	≤1000 e/cm2	DAT
Front kwaliteit
Voorkant	En
Oppervlakteafwerking	Si-face CMP
Deeltjes	≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm)	DAT
Krassen	≤2ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter	Cumulatieve lengte≤2*Diameter	DAT
Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging	Geen		DAT
Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten	Geen		DAT
Polytype-gebieden	Geen	Cumulatief gebied≤20%	Cumulatief gebied≤30%
Lasermarkering aan de voorkant	Geen
Terug Kwaliteit
Afwerking achterkant	C-face CMP
Krassen	≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter	DAT
Rugdefecten (randchips/inkepingen)	Geen
Ruwheid van de rug	Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)
Lasermarkering op de achterkant	1 mm (vanaf bovenrand)
Rand
Rand	Afschuining
Verpakking
Verpakking	De binnenzak wordt gevuld met stikstof en de buitenzak wordt gevacumeerd. Multi-wafercassette, epi-klaar.
*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD.