6 inch semi-isolerende HPSI SiC-wafel

Semicorex levert diverse soorten 4H en 6H SiC wafers. Wij zijn al jaren fabrikant en leverancier van siliciumcarbideproducten. Onze dubbel gepolijste 6 inch semi-isolerende HPSI SiC-wafer heeft een goed prijsvoordeel en bestrijkt de meeste Europese en Amerikaanse markten. We kijken ernaar uit om uw langetermijnpartner in China te worden.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Semicorex heeft een complete lijn siliciumcarbide (SiC) waferproducten, inclusief 4H- en 6H-substraten met N-type, P-type en zeer zuivere semi-isolerende wafers, ze kunnen met of zonder epitaxie zijn.

De diameter van 6 inch van onze 6 inch semi-isolerende HPSI SiC-wafer biedt een groot oppervlak voor de productie van vermogenselektronische apparaten zoals MOSFET's, Schottky-diodes en andere hoogspanningstoepassingen. 6 inch semi-isolerende HPSI SiC-wafer wordt voornamelijk gebruikt in 5G-communicatie, radarsystemen, geleidingskoppen, satellietcommunicatie, gevechtsvliegtuigen en andere velden, met de voordelen van het vergroten van het RF-bereik, identificatie op ultralange afstand, anti-jamming en hoge Toepassingen voor informatieoverdracht met hoge snelheid en hoge capaciteit worden beschouwd als het meest ideale substraat voor het maken van microgolfapparaten.

Specificaties:

● Diameter: 6″

●Dubbel gepolijst

● Rang: Productie, Onderzoek, Dummy

● 4H-SiC HPSI-wafel

● Dikte: 500±25 μm

● Microbuisdichtheid: ≤1 ea/cm²~ ≤15 st./cm²

Artikelen	Productie	Onderzoek	Dummie
Kristalparameters
Polytype	4U
Oppervlakteoriëntatie op de as	<0001 >
Oppervlakteoriëntatie buiten de as	0±0,2°
(0004)FWHM	≤45boogsec	≤60 boogseconden	≤1OOboogsec
Elektrische parameters
Type	HPSI
Weerstand	≥1 E8ohm·cm	100% oppervlak > 1 E5ohm·cm	70% oppervlak > 1 E5ohm·cm
Mechanische parameters
Diameter	150 ± 0,2 mm
Dikte	500±25 μm
Primaire vlakke oriëntatie	[1-100]±5° of inkeping
Primaire platte lengte/diepte	47,5 ± 1,5 mm of 1 - 1,25 mm
TTV	≤5 μm	≤10 μm	≤15 μm
LTV	≤3 μm (5 mm * 5 mm)	≤5 μm (5 mm * 5 mm)	≤10 μm (5 mm * 5 mm)
Boog	-15μm ~ 15μm	-35μm ~ 35μm	-45μm ~ 45μm
Verdraaien	≤35 μm	≤45 μm	≤55 μm
Voorzijde (Si-gezicht) ruwheid (AFM)	Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)
Structuur
Dichtheid van de micropijp	≤1 stuk/cm²	≤10 st./cm²	≤15 st./cm²
Dichtheid van koolstofinsluiting	≤1 stuk/cm²	DAT
Zeshoekige leegte	Geen	DAT
Metaalonzuiverheden	≤5E12 atomen/cm²		DAT
Front kwaliteit
Voorkant	En
Oppervlakteafwerking	Si-face CMP
Deeltjes	≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm)	DAT
Krassen	≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter	Cumulatieve lengte≤300 mm	DAT
Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging	Geen		DAT
Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten	Geen
Polytype-gebieden	Geen	Cumulatief gebied≤20%	Cumulatief gebied≤30%
Lasermarkering aan de voorkant	Geen
Terug Kwaliteit
Afwerking achterkant	C-face CMP
Krassen	≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter	DAT
Rugdefecten (randchips/inkepingen)	Geen
Ruwheid van de rug	Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)
Lasermarkering op de achterkant	"SEMI"
Rand
Rand	Afschuining
Verpakking
Verpakking	Epi-ready met vacuümverpakking Verpakking met meerdere wafercassettes
*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD.