8. Inch EPI -supporter

Semicorex 8 inch EPI Susceptor is een hightech wafer-ondersteuningsgedeelte dat wordt gebruikt in epitaxiale depositieactiviteiten voor de productie van halfgeleiders. Het wordt vervaardigd met voldoende in-profgraphiet kernmateriaal gecoat met een dikke, continue uniforme laag siliciumcarbide (SIC) dat wordt gebruikt in epitaxiale reactoren waar thermische stabiliteit, chemische resistentie en uniformiteit van depositie belangrijk is. De 8-inch diameter is gestandaardiseerd volgens industriële specificaties voor apparatuur die 200 mm wafels verwerkt en daarom betrouwbare integratie biedt in bestaande fabricage multitasking.  

Epitaxiale groei vereist een sterk gecontroleerde thermische omgeving en relatief inerte materiaalinteracties. In beide gevallen zal SIC -gecoate grafiet positief worden uitgevoerd. De grafietkern heeft een zeer hoge thermische geleidbaarheid en een zeer lage thermische expansie, wat betekent dat met een voldoende ontworpen verwarmingsbron dat de warmte van de grafietkern snel kan worden overgedragen en consistente temperatuurgradiënten over het oppervlak van de wafer kan behouden. De buitenste laag SIC is in feite de buitenste schaal van de susceptor. De SIC-laag beschermt de susceptiekern tegen hoge temperaturen, de corrosieve bijproducten van het procesgas zoals waterstof, de sterk corrosieve eigenschappen van gechloreerd silaan en mechanische vernietiging als gevolg van de cumulatieve aard van mechanische slijtage veroorzaakt over herhaalde verwarmingscycli. Over het algemeen kunnen we redelijkerwijs voorspellen dat zolang deze structuur met dubbele materiaal voldoende dik is, de susceptor zowel mechanisch gezond als chemisch inert blijft in perioden van langdurige verwarming. Concluderend hebben we dit empirisch waargenomen bij het werken binnen relevante thermische reeksen, en de SIC -laag biedt een betrouwbare barrière tussen het proces en de grafische kern, waardoor kansen voor productkwaliteit worden gemaximaliseerd en de lengte van de tools maximaliseert.

Grafietcomponenten hebben een essentieel en ongelooflijk belangrijk onderdeel in de productieprocessen van halfgeleiders en de kwaliteit van grafietmateriaal is een belangrijke factor in de prestaties van het product. Bij Semicorex hebben we stringente controle bij elke stap van ons productieproces, zodat we zeer reproduceerbare materiaal homogeniteit en consistentie kunnen hebben van batch tot batch. Met ons kleine batchproductieproces hebben we kleine carbonisatie -ovens met een kamervolume van slechts 50 kubieke meter, waardoor we strengere controles kunnen handhaven in het productieproces. Elk grafietblok ondergaat individuele monitoring, traceerbaar gedurende ons proces. Naast de multi-punts temperatuurbewaking in de oven, volgen we de temperatuur aan het materiaaloppervlak, waardoor de temperatuurafwijkingen gedurende het productieproces een zeer smal bereik worden geminimaliseerd. Onze aandacht voor thermisch beheer stelt ons in staat om interne stress te minimaliseren en zeer stabiele en reproduceerbare grafietcomponenten te produceren voor halfgeleidertoepassingen.

De SIC-coating wordt toegepast via chemische dampafzetting (CVD) en produceert een vast, schoon afgewerkt oppervlak met een fijnkorrelige matrix die deeltjesgeneratie vermindert; en daarom wordt het schone CVD -proces verbeterd. De CVD -procesregeling van gecoate filmdikte zorgt voor uniformiteit en is belangrijk voor de vlakheid en dimensionale stabiliteit door thermische cycli. Dit biedt uiteindelijk een uitstekende wafelplanariteit, wat resulteert in de meest gelijkmatige laagafzetting tijdens het epitaxie-proces.-Een belangrijke parameter voor het bereiken van krachtige halfgeleiderapparaten zoals Power MOSFET's, IGBT's en RF-componenten.

Dimensionale consistentie is nog een ander fundamenteel voordeel van de 8 -inch EPI -susceptor vervaardigd door Semicorex. De susceptor is ontworpen tot strikte toleranties, wat resulteert in een grote compatibiliteit met wafers die robots hanteren en een precisie in verwarmingszones. Het susceptoroppervlak is gepolijst en aangepast aan de specifieke thermische en stroomomstandigheden van de specifieke epitaxiale reactor waarin de susceptor zal worden ingezet. Opties, bijvoorbeeld liftpengaten, zakuitzettingen of antislipoppervlakken kunnen allemaal worden gekoppeld aan de specifieke vereisten van OEM-toolontwerpen en -processen.

Elke susceptor ondergaat meerdere tests voor zowel thermische prestaties als coatingintegriteit tijdens de productie. Kwaliteitscontrolemethoden inclusief dimensionale metingen en verificatie, coatingadhesietests, thermische schokweerstandstests en chemische resistentietests worden toegepast om ervoor te zorgen dat betrouwbaarheid en prestaties worden bereikt, zelfs in agressieve epitaxiale omgevingen. Het resultaat is een product dat uiteindelijk voldoet aan en de huidige veeleisende vereisten van de Semiconductor Fabrication -industrie overtreft.

Semicorex 8 inch EPI Susceptor is gemaakt van SiC -gecoate grafiet dat de thermische geleidbaarheid, mechanische stijfheid en chemische inertie in evenwicht brengt. De 8-inch susceptor is een belangrijk onderdeel voor groeimetoepassingen met hoge volume vanwege het succes bij het produceren van stabiele, schone, wafersondersteuning bij hoge temperaturen, wat resulteert in hoog-rendement, met een hoog-uniformiteit gedefinieerde epitaxiale processen. De 8-inch grootte van de EPI-susceptor wordt meestal gezien in standaard 8-inch apparatuur op de markt en is uitwisselbaar met bestaande apparatuur van klanten. In zijn standaardconfiguratie is de EPI -susceptor zeer aanpasbaar.