8 inch EPI Top Ring

Semicorex 8 inch EPI -topring is een gespecialiseerde component van epitaxiale (EPI) depositiesystemen die hoge prestaties bieden als de bovenste afdekring op de reactiekamer. Met een focus op structurele integriteit en thermische stabiliteit tijdens epitaxiale groei van halfgeleiderwafels, is de EPI-topring gemaakt van hoogzuiver grafiet en gecoat met siliciumcarbide (SIC) om de temperatuur en chemisch reactieve omgevingen van halfgeleiderproductie te weerstaan.

In epitaxiale reactoren helpt de bovenste ring om de waferomgeving te behouden en speelt hij een belangrijke rol in temperatuuruniformiteit en gasstroom tijdens depositie als onderdeel van de susceptor -assemblage. De SIC -coating op het grafietsubstraat biedt de EPI -topring met de thermische stabiliteit en inerte omgeving die nodig is om de grafietkern te beschermen als gevolg van blootstelling aan de processen gassen tijdens de prestaties van de EPI -topring (waterstof, silaan, clorosilanen, enz.). De hardheid en geleidbaarheid van de SIC -laag verbetert de prestaties van de EPI -topring door afbraak te voorkomen en meer stabiele lagen tijdens de productiecyclus mogelijk te maken.

Met een toewijding aan dimensionale nauwkeurigheid, coatingconsistentie en herhaalbaarheid, wordt de 8 -inch EPI -topring vervaardigd met precisie -engineering. Het grafietsubstraat wordt bewerkt tot strakke toleranties en thermisch gezuiverd om onzuiverheden te scheiden, waardoor een schoon substraat met uitstekende zuiverheid en sterkte wordt geleverd. De SIC -coating wordt toegepast door chemische dampafzetting (CVD), om een dichte, consistente en sterk gebonden beschermende laag te vormen. Dit proces minimaliseert deeltjesgeneratie en kan de coating tijdens het verlengd gebruik oppervlakte -integriteit behouden.

De fabrikanten van halfgeleiders zijn afhankelijk van de EPI-topring om kritieke kamerparameters te behouden en tijdens de productie defectvrije wafels te ondersteunen. De configuratie is ontworpen voor gebruik met toonaangevende OEM 8-inch wafer verwerkingssystemen. Aangepaste opties zijn beschikbaar voor dikte, oppervlakte -afwerking en gegroefde ontwerpen voor een beter thermisch beheer of zelfs gasverdeling.

Het conformeren van de eigenschappen van het SIC -gecoate grafiet voor deze toepassing neemt een combinatie van de beste eigenschappen van beide materialen; Grafiet is zeer machinaal en heeft thermische schokweerstand in combinatie met siliciumcarbide dat moeilijker, corrosiebestendig is en een langere levensduur heeft. Deze combinatie geeft u uiteindelijk een EPI -topring die betrouwbaar is bij hoge temperatuur, en garandeert een schone en stabiele verwerkingsomgeving die onderhoudsintervallen vermindert en de totale verbeterde uptime van apparatuur biedt.

Grafietcomponenten spelen een onmisbare en cruciale rol bij de productie van halfgeleiders. De kwaliteit van het grafietmateriaal heeft aanzienlijk invloed op de kwaliteit van het eindproduct. Onze grafietbatch -consistentie en materiaalhomogeniteit worden gedurende het productieproces gecontroleerd en gegarandeerd.

1. Klein-batchproductie, met behulp van een kleine carbonisatie-oven met een capaciteit van slechts 50 kubieke meter.

2. Elk stuk materiaal wordt gecontroleerd en gevolgd.

3. Temperatuurbewaking op meerdere punten in de oven zorgt voor minimale temperatuurverschillen.

4. Temperatuurbewaking op meerdere punten op het materiaal zorgt voor minimale temperatuurverschillen.

De 8-inch EPI-topring van Semicorex biedt uitzonderlijke prestaties, batch-to-batch consistentie en bewezen betrouwbaarheid in de moeilijkste halfgeleiders silicium, siliciumcarbide of andere samengestelde halfgeleider epitaxy-processen. Bij elke productiestap produceren we producten met kwaliteitscontrole, wat betekent dat elk product dat is gekocht voor de halfgeleiderindustrie de kwaliteitsspecificaties overschrijdt.

Selecteer Semicorex's 8 inch EPI-topring voor uw Epitaxy-applicatie om te profiteren van mogelijkheden die worden aangeboden door precisie-engineering, superieure materialen en applicatiespecifieke aanpassing voor het verbeteren van de opbrengsten en apparaatprestaties.