ALD Planetaire Susceptor

Toepassingen:

Diëlektrische afzetting met hoge k: De ALD Planetary Susceptor vertoont een uitstekende weerstand tegen agressieve voorlopers die worden gebruikt bij het afzetten van diëlektrische materialen met een hoge k-waarde, zoals hafniumoxide (HfO2) en aluminiumoxide (Al2O3). Dit maakt de ALD Planetary Susceptor geschikt voor het vervaardigen van hoogwaardige transistors voor logica- en geheugentoepassingen.

Metallisatielagen: De stabiliteit bij hoge temperaturen van de ALD Planetary Susceptor maakt de afzetting van metallisatielagen bij hogere temperaturen mogelijk, wat leidt tot verbeterde filmeigenschappen zoals een lagere soortelijke weerstand en een hogere dichtheid. Dit is cruciaal voor het creëren van efficiënte verbindingen in geavanceerde halfgeleiderapparaten.

Fabricage van opto-elektronische apparaten:De inerte aard van de ALD Planetaire Susceptor minimaliseert ongewenste reacties met voorlopers die worden gebruikt bij het afzetten van gevoelige materialen zoals III-V-halfgeleiders, waardoor de ALD Planetaire Susceptor perfect geschikt is voor de productie van LED's, lasers en andere opto-elektronische componenten.

ALD-cyclus

Atoomlaagafzetting (ALD)biedt een aantal belangrijke voordelen ten opzichte van andere dunnefilmdepositietechnieken, waardoor het steeds populairder wordt voor verschillende toepassingen, met name in de micro-elektronica en nanotechnologie.

Hier zijn enkele van de belangrijkste voordelen van ALD:

1. Diktecontrole op Angstrom-niveau:

ALD maakt nauwkeurige controle van de filmdikte mogelijk tot op het Angstrom-niveau (0,1 nanometer). Dit niveau van precisie wordt bereikt door de zelfbeperkende oppervlaktereacties, waarbij elke cyclus een enkele atomaire laag afzet.

2. Uitstekende uniformiteit en conformiteit:

ALD vertoont uitzonderlijke uniformiteit over grote oppervlakken en complexe 3D-structuren, inclusief kenmerken met een hoge aspectverhouding zoals sleuven en via's. Dit is cruciaal voor toepassingen die uniforme coatings op ingewikkelde geometrieën vereisen, zoals in halfgeleiderapparaten.

3. Lage afzettingstemperatuur:

ALD kan worden uitgevoerd bij relatief lage temperaturen (vaak onder 300°C) vergeleken met andere depositietechnieken. Dit is voordelig voor warmtegevoelige substraten en maakt het gebruik van een breder scala aan materialen mogelijk.

4. Films van hoge kwaliteit:

ALD produceert doorgaans films met een uitstekende dichtheid, lage onzuiverheidsniveaus en een hoge uniformiteit in samenstelling en dikte. Deze eigenschappen zijn essentieel voor het behalen van optimale prestaties in verschillende toepassingen.

5. Brede materiaalkeuze:

ALD biedt een ruime keuze aan materialen die kunnen worden afgezet, waaronder oxiden, nitriden, metalen en sulfiden. Deze veelzijdigheid maakt hem geschikt voor een breed scala aan toepassingen.

6. Schaalbaarheid en industriële toepasbaarheid:

ALD-technologie is zeer schaalbaar en kan gemakkelijk worden geïntegreerd in bestaande productieprocessen. Het is compatibel met verschillende substraatformaten en -vormen, waardoor het geschikt is voor de productie van grote volumes.