Elektrostatische boorkop

Door gebruik te maken van zeer zuiver aluminiumoxide-keramiek, levert Semicorex elektrostatische boorkop topprestaties in omgevingen die prioriteit geven aan precisie, stabiliteit en zuiverheid. Aluminiumoxide, ook bekend als aluminiumoxide (Al2O3), is een keramisch materiaal dat bekend staat om zijn uitzonderlijke elektrische isolatie-eigenschappen, hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende mechanische sterkte. Deze eigenschappen maken het een ideaal materiaal voor de constructie van een elektrostatische klem, ontworpen om de veeleisende omstandigheden van halfgeleiderverwerking te weerstaan. De aluminiumoxide-keramische ESC is ontworpen om hoge temperaturen, corrosieve omgevingen en mechanische belasting te doorstaan ​​tijdens het hanteren en verwerken van wafers, en speelt een cruciale rol bij het waarborgen van de opbrengst en kwaliteit van halfgeleiderapparaten.

Het basisprincipe achter de elektrostatische klem is elektrostatische kracht, die wordt gebruikt om de wafer veilig op zijn plaats te houden. Deze kracht wordt gegenereerd door een spanning aan te leggen op de elektroden die in het keramische materiaal zijn ingebed. De interactie tussen het elektrostatische veld en de geïnduceerde ladingen op het wafeloppervlak creëert een sterke klemkracht die de wafel tegen het oppervlak van de klem houdt. Het ontwerp van de aluminiumoxide-keramische ESC zorgt ervoor dat deze klemkracht gelijkmatig over de wafer wordt verdeeld, waardoor het risico op slippen of schade tijdens de verwerking wordt geminimaliseerd.

Een van de belangrijkste voordelen van het gebruik van aluminiumoxide-keramiek in een elektrostatische boorkopconstructie zijn de uitzonderlijke elektrische isolatie-eigenschappen. De hoge diëlektrische sterkte van aluminiumoxide maakt de toepassing van hoge spanningen mogelijk zonder het risico van elektrische storing, wat cruciaal is voor het behoud van de integriteit van het elektrostatische veld. Dit is vooral belangrijk bij processen zoals plasma-etsen of chemische dampafzetting, waarbij de wafer wordt blootgesteld aan zeer reactieve omgevingen en elke variatie in klemkracht kan resulteren in defecten of schade aan de wafer.

Naast de elektrische eigenschappen vertoont aluminiumoxide-keramiek een uitstekende thermische geleidbaarheid, essentieel voor het beheersen van de warmte die wordt gegenereerd tijdens de verwerking van halfgeleiders. Het vermogen van de elektrostatische klem om warmte efficiënt af te voeren, helpt een stabiele temperatuur over de wafer te handhaven, waardoor thermische gradiënten worden verminderd die tot kromtrekken of andere vormen van thermische spanning kunnen leiden. Deze thermische stabiliteit is van cruciaal belang voor het garanderen van de precisie en herhaalbaarheid van processen zoals fotolithografie, waarbij zelfs kleine temperatuurafwijkingen de uitkomst kunnen beïnvloeden.