Epi-SiC-receptor

Semicorex Epi-SiC Susceptor, een samenloop van uithoudingsvermogen bij hoge temperaturen, chemische inertie en superieure thermische diffusie, is een toonbeeld van veerkracht en efficiëntie in het licht van de intensieve omstandigheden die synoniem zijn met epitaxiale groei-inspanningen. De toepassing van een SiC-coating verbetert de thermische eigenschappen van de Epi-SiC Susceptor aanzienlijk. Deze verbetering vergemakkelijkt de uniforme thermische verdeling die essentieel is voor de verwarming van de wafers, en die cruciaal is voor de afzetting van consistente, hoogwaardige epitaxiale lagen over halfgeleiderwafels.

De Epi-SiC Susceptor is op maat gemaakt om te voldoen aan de veeleisende eisen van epitaxiale processen voor wafers en ondersteunt het naadloze transport van wafers binnen de ovenomgeving. Het robuuste ontwerp is een bolwerk tegen verplaatsing of compromissen van wafers, waardoor de kans op schade tijdens de kritieke stadia van de ontwikkeling van epitaxiale lagen wordt beperkt. Bovendien fungeert de Epi-SiC Susceptor als een beschermende barrière voor het onderliggende grafietsubstraat, waardoor het wordt beschermd tegen de chemische interacties en slijtage die epitaxiale processen kunnen veroorzaken.

De fusie van een veerkrachtige grafietkern met een beschermende SiC-coating versterkt niet alleen de prestatiegegevens van de Epi-SiC Susceptor, maar verlengt ook aanzienlijk de levensduur ervan. Het resultaat is een investering die dividenden oplevert in de vorm van aanhoudende operationele besparingen voor halfgeleiderproductiebedrijven, waardoor de Epi-SiC Susceptor wordt gepositioneerd als een verstandige keuze voor diegenen die hun productieactiviteiten willen optimaliseren.