Epitaxie Waferdrager

Applicaties:De Epitaxy Wafer Carrier, ontwikkeld door Semicorex, is speciaal ontworpen voor gebruik in verschillende geavanceerde halfgeleiderproductieprocessen. Deze dragers zijn zeer geschikt voor omgevingen zoals:

Plasma-verbeterde chemische dampafzetting (PECVD):Bij PECVD-processen is de Epitaxy Wafer Carrier essentieel voor het hanteren van de substraten tijdens het dunnefilmdepositieproces, waardoor een consistente kwaliteit en uniformiteit wordt gegarandeerd.

Silicium- en SiC-epitaxie:Voor silicium- en SiC-epitaxietoepassingen, waarbij dunne lagen op substraten worden afgezet om hoogwaardige kristallijne structuren te vormen, behoudt de Epitaxy Wafer Carrier stabiliteit onder extreme thermische omstandigheden.

Metaal-organische chemische dampafzetting (MOCVD)-eenheden:MOCVD-eenheden worden gebruikt voor het vervaardigen van samengestelde halfgeleiderapparaten zoals LED's en vermogenselektronica en vereisen dragers die de hoge temperaturen en agressieve chemische omgevingen die inherent zijn aan het proces kunnen weerstaan.

Voordelen:

Stabiele en uniforme prestaties bij hoge temperaturen:

De combinatie van isotroop grafiet en siliciumcarbide (SiC) coating zorgt voor uitzonderlijke thermische stabiliteit en uniformiteit bij hoge temperaturen. Het isotrope grafiet biedt consistente eigenschappen in alle richtingen, wat cruciaal is voor het garanderen van betrouwbare prestaties in de Epitaxy Wafer Carrier die wordt gebruikt onder thermische belasting. De SiC-coating draagt ​​bij aan het handhaven van een uniforme thermische verdeling, het voorkomen van hotspots en zorgt ervoor dat de drager gedurende langere perioden betrouwbaar presteert.

Verbeterde corrosiebestendigheid en langere levensduur van componenten:

De SiC-coating, met zijn kubieke kristalstructuur, resulteert in een coatinglaag met hoge dichtheid. Deze structuur verbetert aanzienlijk de weerstand van de Epitaxy Wafer Carrier tegen corrosieve gassen en chemicaliën die doorgaans voorkomen bij PECVD-, epitaxie- en MOCVD-processen. De dichte SiC-coating beschermt het onderliggende grafietsubstraat tegen degradatie, waardoor de levensduur van de drager wordt verlengd en de frequentie van vervangingen wordt verminderd.

Optimale laagdikte en dekking:

Semicorex maakt gebruik van een coatingtechnologie die een standaard SiC-coatingdikte van 80 tot 100 µm garandeert. Deze dikte is optimaal voor het bereiken van een evenwicht tussen mechanische bescherming en thermische geleidbaarheid. De technologie zorgt ervoor dat alle blootgestelde gebieden, inclusief die met complexe geometrieën, uniform worden gecoat, waardoor een dichte en continue beschermende laag behouden blijft, zelfs in kleine, ingewikkelde delen.

Superieure hechting en corrosiebescherming:

Door de bovenste laag grafiet met SiC-coating te infiltreren, bereikt de Epitaxy Wafer Carrier een uitzonderlijke hechting tussen het substraat en de coating. Deze methode zorgt er niet alleen voor dat de coating intact blijft onder mechanische belasting, maar verbetert ook de corrosiebescherming. De stevig gebonden SiC-laag fungeert als een barrière en voorkomt dat reactieve gassen en chemicaliën de grafietkern bereiken, waardoor de structurele integriteit van de drager behouden blijft bij langdurige blootstelling aan zware verwerkingsomstandigheden.

Mogelijkheid om complexe geometrieën te coaten:

De geavanceerde coatingtechnologie van Semicorex maakt de uniforme toepassing van de SiC-coating op complexe geometrieën mogelijk, zoals kleine blinde gaten met diameters zo klein als 1 mm en diepten van meer dan 5 mm. Deze mogelijkheid is van cruciaal belang voor het garanderen van de uitgebreide bescherming van de Epitaxy Wafer Carrier, zelfs op gebieden die traditioneel moeilijk te coaten zijn, waardoor plaatselijke corrosie en degradatie wordt voorkomen.

Hoge zuiverheid en goed gedefinieerde SiC-coatinginterface:

Voor het verwerken van wafers gemaakt van silicium, saffier, siliciumcarbide (SiC), galliumnitride (GaN) en andere materialen is de hoge zuiverheid van de SiC-coatinginterface een belangrijk voordeel. Deze hoogzuivere coating van de Epitaxy Wafer Carrier voorkomt verontreiniging en handhaaft de integriteit van de wafers tijdens verwerking bij hoge temperaturen. De goed gedefinieerde interface zorgt ervoor dat de thermische geleidbaarheid wordt gemaximaliseerd, waardoor een efficiënte warmteoverdracht door de coating mogelijk wordt zonder noemenswaardige thermische barrières.

Functie als diffusiebarrière:

De SiC-coating van de Epitaxy Wafer Carrier dient ook als een effectieve diffusiebarrière. Het voorkomt de absorptie en desorptie van onzuiverheden uit het onderliggende grafietmateriaal, waardoor een schone verwerkingsomgeving behouden blijft. Dit is vooral belangrijk bij de productie van halfgeleiders, waar zelfs kleine onzuiverheden een aanzienlijke invloed kunnen hebben op de elektrische eigenschappen van het eindproduct.