GaN-epitaxiedrager

De Semicorex GaN Epitaxy Carrier is cruciaal in de productie van halfgeleiders en integreert geavanceerde materialen en precisie-engineering. Deze drager onderscheidt zich door zijn CVD SiC-coating en biedt uitzonderlijke duurzaamheid, thermische efficiëntie en beschermende eigenschappen, waardoor hij zich positioneert als een uitblinker in de branche. Wij bij Semicorex zijn toegewijd aan de productie en levering van hoogwaardige GaN Epitaxy Carrier die kwaliteit combineert met kostenefficiëntie.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

De Semicorex GaN Epitaxy Carrier blinkt uit in het veilig transporteren van wafers in de oven, terwijl hij is ontworpen voor epitaxiale processen voor wafers. De GaN Epitaxy Carrier is cruciaal voor het realiseren van hoogwaardige, reproduceerbare dunne films en epitaxiale lagen die nodig zijn voor de productie van geavanceerde elektronische en opto-elektronische apparaten.

Het grafietsubstraat van de GaN Epitaxy Carrier is verbeterd met een ultramoderne Chemical Vapour Deposition (CVD) siliciumcarbide (SiC) coating. Deze SiC-laag wordt zorgvuldig aangebracht via chemische dampafzetting en biedt een robuuste bescherming tegen chemische reacties en slijtage tijdens het epitaxieproces. Bovendien verbetert de SiC-coating van de GaN Epitaxy Carrier de thermische eigenschappen van de drager, waardoor een efficiënte en uniforme verwarming van de wafers mogelijk wordt gemaakt. Een dergelijke uniforme verwarming is van vitaal belang voor het produceren van consistente en hoogwaardige epitaxiale lagen op halfgeleiderwafels.

De Semicorex GaN Epitaxy Carrier is aanpasbaar aan een verscheidenheid aan halfgeleiderwafelformaten en is een veelzijdige oplossing voor diverse productiebehoeften. Of er nu specifieke maten, vormen of laagdiktes nodig zijn, ons team werkt samen met klanten om een oplossing te ontwikkelen die aan hun precieze specificaties voldoet en de prestaties voor hun unieke toepassingen optimaliseert.