LPE Halfmoon-reactiekamer

Het epitaxiale proces vindt plaats in de LPE Halfmoon Reaction Chamber, waar substraten worden blootgesteld aan extreme omstandigheden met hoge temperaturen en corrosieve gassen. Om de levensduur en prestaties van de componenten van de reactiekamer te garanderen, worden Chemical Vapour Deposition (CVD) SiC-coatings aangebracht:

Gedetailleerde toepassingen:

Susceptoren en wafeldragers:

Primaire rol:

Susceptors en waferdragers zijn cruciale componenten die de substraten veilig vasthouden tijdens het epitaxiale groeiproces in de LPE Halfmoon Reaction Chamber. Ze spelen een cruciale rol bij het garanderen dat de substraten gelijkmatig worden verwarmd en blootgesteld aan de reactieve gassen.

Voordelen van CVD SiC-coating:

Thermische geleidbaarheid:

De SiC-coating verbetert de thermische geleidbaarheid van de susceptor en zorgt ervoor dat de warmte gelijkmatig over het waferoppervlak wordt verdeeld. Deze uniformiteit is essentieel voor het bereiken van consistente epitaxiale groei.

Corrosiebestendigheid:

De SiC-coating beschermt de susceptor tegen corrosieve gassen zoals waterstof en gechloreerde verbindingen, die worden gebruikt in het CVD-proces. Deze bescherming verlengt de levensduur van de susceptor en handhaaft de integriteit van het epitaxiale proces in de LPE Halfmoon Reaction Chamber.

Reactiekamerwanden:

Primaire rol:

De wanden van de reactiekamer bevatten de reactieve omgeving en worden blootgesteld aan hoge temperaturen en corrosieve gassen tijdens het epitaxiale groeiproces in de LPE Halfmoon Reaction Chamber.

Voordelen van CVD SiC-coating:

Duurzaamheid:

De SiC-coating van de LPE Halfmoon Reaction Chamber verbetert de duurzaamheid van de kamerwanden aanzienlijk en beschermt ze tegen corrosie en fysieke slijtage. Deze duurzaamheid vermindert de frequentie van onderhoud en vervanging, waardoor de operationele kosten worden verlaagd.

Besmettingspreventie:

Door de integriteit van de kamerwanden te behouden, minimaliseert de SiC-coating het risico op besmetting door verslechterende materialen, waardoor een schone verwerkingsomgeving wordt gegarandeerd.

Belangrijkste voordelen:

Verbeterde opbrengst:

Door de structurele integriteit van de wafers te behouden, ondersteunt de LPE Halfmoon Reaction Chamber hogere opbrengstpercentages, waardoor het fabricageproces van halfgeleiders efficiënter en kosteneffectiever wordt.

Structurele robuustheid:

De SiC-coating van de LPE Halfmoon Reaction Chamber verbetert de mechanische sterkte van het grafietsubstraat aanzienlijk, waardoor de waferdragers robuuster worden en bestand zijn tegen de mechanische spanningen van herhaalde thermische cycli.

Levensduur:

De verhoogde mechanische sterkte draagt ​​bij aan de algehele levensduur van de LPE Halfmoon Reaction Chamber, waardoor de noodzaak voor frequente vervangingen wordt verminderd en de operationele kosten verder worden verlaagd.

Verbeterde oppervlaktekwaliteit:

De SiC-coating resulteert in een gladder oppervlak vergeleken met kaal grafiet. Deze gladde afwerking minimaliseert de vorming van deeltjes, wat cruciaal is voor het handhaven van een schone verwerkingsomgeving.

Verontreinigingsreductie:

Een gladder oppervlak vermindert het risico op verontreiniging van de wafer, waardoor de zuiverheid van de halfgeleiderlagen wordt gewaarborgd en de algehele kwaliteit van de uiteindelijke apparaten wordt verbeterd.

Schone verwerkingsomgeving:

Semicorex LPE Halfmoon Reaction Chamber genereert aanzienlijk minder deeltjes dan ongecoat grafiet, wat essentieel is voor het handhaven van een contaminatievrije omgeving bij de productie van halfgeleiders.

Hogere opbrengstpercentages:

Verminderde deeltjesverontreiniging leidt tot minder defecten en hogere opbrengstpercentages, wat kritische factoren zijn in de zeer competitieve halfgeleiderindustrie.