MOCVD-epitaxiereceptor

Voordelen voor veeleisende epitaxietoepassingen:

Ultrahoge zuiverheid:De MOCVD Epitaxy Susceptor is gemaakt om ultrahoge zuiverheidsniveaus te bereiken, waardoor het risico wordt geminimaliseerd dat ongewenste onzuiverheden in de groeiende epitaxiale lagen worden opgenomen. Deze uitzonderlijke zuiverheid is cruciaal voor het behouden van een hoge dragermobiliteit, het bereiken van optimale dopingprofielen en uiteindelijk het realiseren van hoogwaardige halfgeleiderapparaten.

Uitzonderlijke weerstand tegen thermische schokken:De MOCVD Epitaxy Susceptor biedt opmerkelijke weerstand tegen thermische schokken en is bestand tegen snelle temperatuurveranderingen en gradiënten die inherent zijn aan het MOCVD-proces. Deze stabiliteit zorgt voor consistente en betrouwbare prestaties tijdens kritieke verwarmings- en afkoelingsfasen, waardoor het risico op waferbuiging, door spanning veroorzaakte defecten en procesonderbrekingen wordt geminimaliseerd.

Superieure chemische weerstand:De MOCVD Epitaxy Susceptor vertoont uitzonderlijke weerstand tegen een breed scala aan reactieve gassen en chemicaliën die worden gebruikt in MOCVD, inclusief corrosieve bijproducten die zich kunnen vormen bij verhoogde temperaturen. Deze inertie voorkomt vervuiling van de epitaxiale lagen en garandeert de zuiverheid van het afgezette halfgeleidermateriaal, cruciaal voor het bereiken van de gewenste elektrische en optische eigenschappen.

Beschikbaarheid in compleetx Vormen: De MOCVD Epitaxy Susceptor kan nauwkeurig worden bewerkt tot complexe vormen en geometrieën om de gasstroomdynamiek en temperatuuruniformiteit binnen de MOCVD-reactor te optimaliseren. Deze op maat gemaakte ontwerpmogelijkheid maakt een uniforme verwarming van de substraatwafels mogelijk, waardoor temperatuurvariaties worden geminimaliseerd die kunnen leiden tot inconsistente epitaxiale groei en apparaatprestaties.