Monokristallijne silicium wafer susceptor

Semicorex Monokristallijne Silicium Wafer Susceptor is de ideale oplossing voor grafietepitaxie en waferhanteringsprocessen. Ons ultrazuivere product zorgt voor minimale vervuiling en uitzonderlijke prestaties met een lange levensduur, waardoor het een populaire keuze is op veel Europese en Amerikaanse markten. Als toonaangevende leverancier van halfgeleiderwaferdragers in China kijken we ernaar uit om uw langetermijnpartner te worden.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Onze epitaxiale susceptor van monokristallijn silicium is een grafietproduct gecoat met zeer zuiver SiC, dat een hoge hitte- en corrosieweerstand heeft. De met CVD-siliciumcarbide beklede drager wordt gebruikt in processen die de epitaxiale laag op halfgeleiderwafels vormen. Het heeft een hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende warmteverdelingseigenschappen, die essentieel zijn voor efficiënte en nauwkeurige halfgeleiderproductieprocessen.
Een van de belangrijkste kenmerken van onze monokristallijne siliciumwafersusceptor is de uitstekende dichtheid. Zowel het grafietsubstraat als de siliciumcarbidelaag hebben een goede dichtheid en kunnen een goede beschermende rol spelen in werkomgevingen met hoge temperaturen en corrosie. De met siliciumcarbide beklede susceptor die wordt gebruikt voor de groei van monokristallen heeft een zeer hoge vlakheid van het oppervlak, wat essentieel is voor het handhaven van hoogwaardige wafelproductie.
Een ander belangrijk kenmerk van ons product is het vermogen om het verschil in thermische uitzettingscoëfficiënt tussen het grafietsubstraat en de siliciumcarbidelaag te verkleinen. Dit verbetert effectief de hechtsterkte en voorkomt scheuren en delaminatie. Bovendien hebben zowel het grafietsubstraat als de siliciumcarbidelaag een hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende warmteverdelingseigenschappen, waardoor wordt gegarandeerd dat de warmte gelijkmatig wordt verdeeld tijdens het productieproces.
Onze monokristallijne siliciumwafersusceptor is ook bestand tegen oxidatie en corrosie bij hoge temperaturen, waardoor het een betrouwbaar en duurzaam product is. Het hoge smeltpunt zorgt ervoor dat het bestand is tegen de hoge temperaturen die nodig zijn voor een efficiënte productie van halfgeleiders.
Kortom, Semicorex Monokristallijne Silicium Wafer Susceptor is een ultrazuivere, duurzame en betrouwbare oplossing voor grafietepitaxie en waferhanteringsprocessen. De uitstekende dichtheid, vlakheid van het oppervlak en thermische geleidbaarheid maken het ideaal voor gebruik in omgevingen met hoge temperaturen en corrosie. We zijn er trots op dat we producten van hoge kwaliteit tegen concurrerende prijzen kunnen leveren en kijken ernaar uit om met u samen te werken voor al uw behoeften op het gebied van halfgeleiderwaferdragers.

Parameters van monokristallijne siliciumwafersusceptor

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating
SiC-CVD-eigenschappen
Kristalstructuur	FCC β-fase
Dikte	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers-hardheid	2500
Korrelgrootte	urn	2~10
Chemische zuiverheid	%	99.99995
Warmtecapaciteit	J kg-1 K-1	640
Sublimatie temperatuur	℃	2700
Flexurale kracht	MPa (RT 4-punts)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bocht, 1300℃)	430
Thermische uitzetting (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermische geleidbaarheid	(W/mK)	300

Kenmerken van de monokristallijne siliciumwafersusceptor

- Voorkom loslaten en zorg voor een coating op alle oppervlakken
Oxidatieweerstand bij hoge temperaturen: Stabiel bij hoge temperaturen tot 1600°C
Hoge zuiverheid: gemaakt door CVD chemische dampafzetting onder chloreringsomstandigheden op hoge temperatuur.
Corrosiebestendigheid: hoge hardheid, dicht oppervlak en fijne deeltjes.
Corrosiebestendigheid: zuur, alkali, zout en organische reagentia.
- Bereik het beste laminaire gasstroompatroon
- Garandeer de gelijkmatigheid van het thermische profiel
- Voorkom elke besmetting of verspreiding van onzuiverheden