De Single-crystal Silicon Epi Susceptor is een essentieel onderdeel dat is ontworpen voor Si-GaN-epitaxieprocessen en kan worden aangepast aan geïndividualiseerde specificaties en voorkeuren, waardoor een op maat gemaakte oplossing wordt geboden die perfect aansluit bij specifieke vereisten. Of het nu gaat om aanpassingen in afmetingen of aanpassingen in de laagdikte, wij beschikken over de mogelijkheid om een product te ontwerpen en te leveren dat tegemoetkomt aan diverse procesparameters, waardoor de prestaties voor gerichte toepassingen worden geoptimaliseerd. De toewijding van Semicorex aan marktleidende kwaliteit, gecombineerd met concurrerende fiscale overwegingen, versterkt onze gretigheid om partnerschappen aan te gaan bij het voldoen aan uw transportvereisten voor halfgeleiderwafels.
De susceptoren bij epitaxiale groeiverwerking vereisen het vermogen om hogere temperaturen te weerstaan en rigoureuze chemische reinigingsprocedures te doorstaan. De Single-crystal Silicon Epi Susceptor is zorgvuldig ontworpen om specifiek te voldoen aan deze veeleisende eisen die men tegenkomt in toepassingen voor epitaxieapparatuur.
Deze susceptoren beschikken over een constructie bestaande uit zeer zuiver siliciumcarbide (SiC) gecoat grafiet, dat een ongeëvenaarde weerstand tegen hitte biedt en een uniforme thermische verdeling garandeert voor een consistente dikte en weerstand van de epitaxielaag.
Bovendien vertoont de Single-crystal Silicon Epi Susceptor een opmerkelijke duurzaamheid tegen agressieve chemische reinigingsmiddelen. Het gebruik van een fijne SiC-kristalcoating draagt verder bij aan een onberispelijk, glad oppervlak, wat van het allergrootste belang is voor een effectieve hantering, aangezien de onbesmette wafels over hun gehele oppervlak op talrijke punten in contact komen met de susceptor.
Het gebruik van de Single-crystal Silicon Epi Susceptor zorgt voor een onwrikbare betrouwbaarheid en een langere levensduur, waardoor de noodzaak voor frequente vervangingen wordt verminderd en vervolgens zowel de uitvaltijd als de onderhoudskosten worden geminimaliseerd. De stevige constructie en uitzonderlijke operationele mogelijkheden dragen aanzienlijk bij aan een verhoogde procesefficiëntie, waardoor uiteindelijk de productiviteit en kosteneffectiviteit binnen het domein van de halfgeleiderproductie worden vergroot.