- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Nieuws uit de sector
Inleiding tot halfgeleiders van de derde generatie: GaN en gerelateerde epitaxiale technologieën
GaN-materialen kregen bekendheid na de toekenning van de Nobelprijs voor natuurkunde in 2014 voor blauwe LED's. Aanvankelijk kwamen ze onder de aandacht van het publiek via snellaadtoepassingen in consumentenelektronica, maar op GaN gebaseerde eindversterkers en RF-apparaten zijn ook stilletjes naar......
Lees verder
Substraat versus epitaxie: sleutelrollen bij de productie van halfgeleiders
Op het gebied van halfgeleidertechnologie en micro-elektronica zijn de concepten van substraten en epitaxie van groot belang. Ze spelen een cruciale rol in het productieproces van halfgeleiderapparaten. Dit artikel gaat dieper in op de verschillen tussen halfgeleidersubstraten en epitaxie, en behand......
Lees verder
Sleutelparameters van siliciumcarbide (SiC) substraten
Het productieproces van siliciumcarbide (SiC) omvat de voorbereiding van substraat en epitaxie vanaf de materiaalkant, gevolgd door het ontwerp en de productie van de chip, de verpakking van apparaten en ten slotte de distributie naar downstream-toepassingsmarkten. Van deze fasen is de verwerking va......
Lees verder
Siliciumcarbide-toepassingen
Siliciumcarbide heeft een groot aantal toepassingen in opkomende industrieën en traditionele industrieën. Momenteel heeft de mondiale halfgeleidermarkt een omvang van meer dan 100 miljard yuan. Er wordt verwacht dat in 2025 de mondiale verkoop van halfgeleiderproductiematerialen 39,5 miljard dollar ......
Lees verder
Inleiding tot het implantatie- en gloeiproces van siliciumcarbide-ionen
Bij de traditionele vervaardiging van siliciumenergieapparaten vormen diffusie op hoge temperatuur en ionenimplantatie de belangrijkste methoden voor doteringscontrole, elk met zijn voor- en nadelen. Diffusie bij hoge temperaturen wordt doorgaans gekenmerkt door zijn eenvoud, kosteneffectiviteit, is......
Lees verder
