Er wordt verwacht dat halfgeleiders met een brede bandafstand (WBG), zoals siliciumcarbide (SiC) en galliumnitride (GaN), een steeds belangrijkere rol zullen spelen in vermogenselektronische apparaten. Ze bieden verschillende voordelen ten opzichte van traditionele silicium (Si)-apparaten, waaronder......
Lees verderOp het eerste gezicht lijkt het materiaal kwarts (SiO2) erg op glas, maar bijzonder is dat gewoon glas is samengesteld uit vele componenten (zoals kwartszand, borax, boorzuur, bariet, bariumcarbonaat, kalksteen, veldspaat, natriumcarbonaat , enz.), terwijl kwarts alleen SiO2 bevat, en de microstruct......
Lees verderDe fabricage van halfgeleiderapparaten omvat voornamelijk vier soorten processen: (1) Fotolithografie (2) Dopingtechnieken (3) Filmafzetting (4) Etstechnieken De specifieke technieken die hierbij betrokken zijn, zijn onder meer fotolithografie, ionenimplantatie, snelle thermische verwerking (R......
Lees verder