De derde generatie halfgeleidermaterialen AlN behoort tot de halfgeleider met directe bandgap, de bandbreedte van 6,2 eV, met hoge thermische geleidbaarheid, weerstand, doorslagveldsterkte, evenals uitstekende chemische en thermische stabiliteit, is niet alleen een belangrijk blauw licht, ultraviole......
Lees verderOp het gebied van de fabricage van halfgeleiderapparaten is de nauwkeurige controle van de kristalgroei van cruciaal belang voor het verkrijgen van hoogwaardige en betrouwbare apparaten. Eén techniek die in dit domein een centrale rol heeft gespeeld, is Liquid-Phase Epitaxy (LPE).
Lees verderDe ontwikkeling van krachtige blauwe en UV-LED's heeft de creatie mogelijk gemaakt van full-color LED-tv-schermen, evenals witte LED-auto- en huishoudelijke verlichting. Deze LED's zijn gebaseerd op galliumnitride, dat wordt afgezet op substraatwafels ondersteund door een CVD SiC-gecoate grafiet sus......
Lees verderEen diffusieoven is een gespecialiseerd apparaat dat wordt gebruikt om op een gecontroleerde manier onzuiverheden in halfgeleiderwafels te introduceren. Deze onzuiverheden, doteermiddelen genoemd, veranderen de elektrische eigenschappen van halfgeleiders, waardoor verschillende soorten elektronische......
Lees verder