Nieuws - Semicorex Advanced Material Technology Co., Ltd

Droog etsen versus nat etsen

Bij de fabricage van halfgeleiders is etsen een van de belangrijkste stappen, naast fotolithografie en dunnefilmafzetting. Het gaat om het verwijderen van ongewenste materialen van het oppervlak van een wafer met behulp van chemische of fysische methoden. Deze stap wordt uitgevoerd na het coaten, fo......

Lees verder

Dislocatie in SiC-kristallen

SiC-substraat kan microscopische defecten vertonen, zoals Threading Screw Dislocation (TSD), Threading Edge Dislocation (TED), Base Plane Dislocation (BPD) en andere. Deze defecten worden veroorzaakt door afwijkingen in de rangschikking van atomen op atomair niveau.

Lees verder

Over defecten in SiC-kristallen - Micropipe

SiC-substraat kan microscopische defecten vertonen, zoals Threading Screw Dislocation (TSD), Threading Edge Dislocation (TED), Base Plane Dislocation (BPD) en andere. Deze defecten worden veroorzaakt door afwijkingen in de rangschikking van atomen op atomair niveau. SiC-kristallen kunnen ook macrosc......

Lees verder

Waarom kiezen voor de epitaxiemethode in de vloeibare fase?

Vergeleken met de PVT-methode heeft de vloeistoffasemethode voor het kweken van SiC de volgende voordelen:

Lees verder

Wat is vloeistoffase-epitaxie?

De vloeistoffasemethode ligt dichter bij de thermodynamische evenwichtsomstandigheden en kan SiC-kristallen met betere kwaliteit laten groeien.

Lees verder

TaC-coating

Volgens de onderzoeksresultaten kan de TaC-coating fungeren als een beschermings- en isolatielaag om de levensduur van grafietcomponenten te verlengen, de radiale temperatuuruniformiteit te verbeteren, de SiC-sublimatie-stoichiometrie te behouden, de migratie van onzuiverheden te onderdrukken en het......

Lees verder