> Nieuws

Nieuws

Silicium epitaxiale lagen en substraten in de productie van halfgeleiders

In de moderne elektronica, opto-elektronica, micro-elektronica en informatietechnologie zijn halfgeleidersubstraten en epitaxiale technologieën onmisbaar. Ze bieden een solide basis voor de productie van hoogwaardige en zeer betrouwbare halfgeleiderapparaten. Naarmate de technologie zich blijft ontw......

Lees verder

Voordelen van SiC in de EV-industrie

Als halfgeleidermateriaal met brede bandafstand (WBG) geeft het grotere energieverschil van SiC het hogere thermische en elektronische eigenschappen vergeleken met traditioneel Si. Deze functie zorgt ervoor dat elektrische apparaten kunnen werken bij hogere temperaturen, frequenties en spanningen.

Lees verder

Dopingcontrole bij sublimatie SiC-groei

Siliciumcarbide (SiC) speelt een belangrijke rol bij de productie van vermogenselektronica en hoogfrequente apparaten vanwege de uitstekende elektrische en thermische eigenschappen. De kwaliteit en het dopingniveau van SiC-kristallen hebben een directe invloed op de prestaties van het apparaat. Daar......

Lees verder

De betekenis van poreuze grafietmaterialen voor de groei van SiC-kristallen

De SiC-kristalgroeiovencomponent van Semicorex, het poreuze grafietvat, zal drie belangrijke voordelen opleveren en kan de concurrentiepositie van binnenlandse SiC-substraten effectief versterken:

Lees verder

MOCVD kennen

MOCVD is een nieuwe epitaxiale groeitechnologie in de dampfase, ontwikkeld op basis van epitaxiale groei in de dampfase (VPE).

Lees verder

Toepassingen van met TaC gecoate grafietcomponenten

Bij het groeien van SiC- en AlN-monokristallen via de fysische damptransportmethode (PVT) spelen componenten zoals de smeltkroes, de entkristalhouder en de geleidingsring een cruciale rol. Tijdens het bereidingsproces van SiC bevindt het kiemkristal zich in een relatief lage temperatuurregio, terwij......

Lees verder

<...23 24 25 26 27...37 >