- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Nieuws
Wat zijn de uitdagingen bij de productie van siliciumcarbidesubstraten?
Siliciumcarbide (SiC) is een materiaal dat een hoge bindingsenergie bezit, vergelijkbaar met andere harde materialen zoals diamant en kubisch boornitride. De hoge bindingsenergie van SiC maakt het echter moeilijk om via traditionele smeltmethoden rechtstreeks in blokken te kristalliseren. Daarom omv......
Lees verder
Siliciumcarbide-industrie
De siliciumcarbide-industrie omvat een keten van processen, waaronder het maken van substraten, epitaxiale groei, apparaatontwerp, apparaatproductie, verpakking en testen. Over het algemeen wordt siliciumcarbide gemaakt als blokken, die vervolgens worden gesneden, geslepen en gepolijst om een sili......
Lees verder
Wat is siliciumcarbide (SiC)?
Halfgeleidermaterialen kunnen volgens de tijdsvolgorde in drie generaties worden verdeeld. De eerste generatie germanium, silicium en andere gebruikelijke monomaterialen, die wordt gekenmerkt door gemakkelijk schakelen, wordt doorgaans gebruikt in geïntegreerde schakelingen. De tweede generatie gall......
Lees verder
Kun je siliciumcarbide slijpen?
Siliciumcarbide (SiC) heeft belangrijke toepassingen op gebieden zoals vermogenselektronica, hoogfrequente RF-apparaten en sensoren voor omgevingen die bestand zijn tegen hoge temperaturen vanwege de uitstekende fysisch-chemische eigenschappen. De snijbewerking tijdens de verwerking van SiC-wafels b......
Lees verder
GaN versus SiC
Er worden momenteel verschillende materialen onderzocht, waarvan siliciumcarbide een van de meest veelbelovende is. Net als GaN beschikt het over hogere bedrijfsspanningen, hogere doorslagspanningen en een superieure geleidbaarheid in vergelijking met silicium. Bovendien kan siliciumcarbide, dankzij......
Lees verder
Voor- en nadelen van galliumnitride (GaN)-toepassingen
Terwijl de wereld zoekt naar nieuwe mogelijkheden op het gebied van halfgeleiders, blijft galliumnitride opvallen als een potentiële kandidaat voor toekomstige energie- en RF-toepassingen. Ondanks alle voordelen die het biedt, staat het echter nog steeds voor een grote uitdaging; er zijn geen P-type......
Lees verder
