Nieuws

Wat is P-type SiC-wafer?

Een P-type siliciumcarbide (SiC) wafer is een halfgeleidersubstraat dat is gedoteerd met onzuiverheden om een ​​P-type (positieve) geleidbaarheid te creëren. Siliciumcarbide is een halfgeleidermateriaal met brede bandgap dat uitzonderlijke elektrische en thermische eigenschappen biedt, waardoor het ......

Waarom SiC-gecoate grafietsusceptors kiezen?

Grafietsusceptor is een van de essentiële onderdelen in de MOCVD-apparatuur, is de drager en de verwarmer van het wafelsubstraat. De eigenschappen van thermische stabiliteit en thermische uniformiteit spelen een beslissende rol in de kwaliteit van de epitaxiale groei van de wafel, die direct de unif......

Wat is het proces van SiC-epitaxiaal?

Op het gebied van hoogspanning, met name voor hoogspanningsapparaten van meer dan 20.000 V, staat de SiC-epitaxiale technologie nog steeds voor verschillende uitdagingen. Een van de grootste moeilijkheden is het bereiken van een hoge uniformiteit, dikte en doteringsconcentratie in de epitaxiale laag......

Substantiële groei van de markt voor SiC-gecoate grafietsusceptoren

MOCVD is het belangrijkste materiaal

Fondsen voor halfgeleiderprojecten

Elk land is zich bewust van het belang van chips en versnelt nu de opbouw van zijn eigen supply chain-ecosysteem voor chipproductie om een ​​ander probleem met een tekort aan chips te voorkomen. Maar de geavanceerde gieterijen zonder chipontwerpers van de volgende generatie zouden hetzelfde zijn als......