- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
bedrijfsnieuws
Gespecialiseerde voorbereidingstechnieken voor siliciumcarbidekeramiek
Siliciumcarbide (SiC) keramische materialen beschikken over een reeks uitstekende eigenschappen, waaronder hoge temperatuursterkte, sterke oxidatieweerstand, superieure slijtvastheid, thermische stabiliteit, lage thermische uitzettingscoëfficiënt, hoge thermische geleidbaarheid, hoge hardheid, therm......
Lees verder
Een overzicht van 9 sintertechnieken voor siliciumcarbidekeramiek
Siliciumcarbide (SiC), een prominent structureel keramiek, staat bekend om zijn uitzonderlijke eigenschappen, waaronder sterkte bij hoge temperaturen, hardheid, elastische modulus, slijtvastheid, thermische geleidbaarheid en corrosieweerstand. Deze eigenschappen maken het geschikt voor een breed sca......
Lees verder
Hoogzuiver kwarts: een onmisbaar materiaal voor de halfgeleiderindustrie
Hoogzuiver kwarts bezit opmerkelijke fysische en chemische eigenschappen. De inherente kristalstructuur, vorm en roostervariaties dragen bij aan uitzonderlijke kenmerken zoals hoge temperatuurbestendigheid, corrosieweerstand, slijtvastheid, lage thermische uitzettingscoëfficiënt, hoge isolatie, piëz......
Lees verder
Demystificerende elektrostatische chuck-technologie (ESC) bij het hanteren van wafels
Elektrostatische klauwplaten (ESC's) zijn onmisbaar geworden bij de productie van halfgeleiders en de productie van platte beeldschermen, en bieden een schadevrije, zeer controleerbare methode voor het vasthouden en positioneren van delicate wafers en substraten tijdens kritische verwerkingsstappen.......
Lees verder
Hoogzuiver CVD dik SiC: procesinzichten voor materiaalgroei
Dikke, zeer zuivere lagen siliciumcarbide (SiC), doorgaans groter dan 1 mm, zijn cruciale componenten in verschillende hoogwaardige toepassingen, waaronder de fabricage van halfgeleiders en ruimtevaarttechnologieën. Dit artikel gaat dieper in op het Chemical Vapour Deposition (CVD)-proces voor het p......
Lees verder
