Galliumnitride (GaN) epitaxiale wafergroei is een complex proces, waarbij vaak gebruik wordt gemaakt van een tweestapsmethode. Deze methode omvat verschillende kritische fasen, waaronder bakken bij hoge temperatuur, groei van de bufferlaag, herkristallisatie en uitgloeien. Door de temperatuur gedure......
Lees verderZowel epitaxiale als diffuse wafers zijn essentiële materialen bij de productie van halfgeleiders, maar ze verschillen aanzienlijk in hun fabricageprocessen en doeltoepassingen. Dit artikel gaat dieper in op de belangrijkste verschillen tussen deze wafeltypes.
Lees verderEtsen is een essentieel proces bij de productie van halfgeleiders. Dit proces kan worden onderverdeeld in twee typen: droog etsen en nat etsen. Elke techniek heeft zijn eigen voordelen en beperkingen, waardoor het van cruciaal belang is om de verschillen ertussen te begrijpen. Dus, hoe kies je de be......
Lees verderDe huidige halfgeleiders van de derde generatie zijn voornamelijk gebaseerd op siliciumcarbide, waarbij substraten 47% van de apparaatkosten voor hun rekening nemen, en epitaxie 23%, in totaal ongeveer 70%, en het meest cruciale onderdeel vormen van de productie-industrie van SiC-apparaten.
Lees verderSiliciumcarbide-keramiek biedt talrijke voordelen in de optische vezelindustrie, waaronder stabiliteit bij hoge temperaturen, lage thermische uitzettingscoëfficiënt, lage verlies- en schadedrempel, mechanische sterkte, corrosieweerstand, goede thermische geleidbaarheid en lage diëlektrische constant......
Lees verderDe geschiedenis van siliciumcarbide (SiC) gaat terug tot 1891, toen Edward Goodrich Acheson het per ongeluk ontdekte tijdens een poging kunstmatige diamanten te synthetiseren. Acheson verwarmde een mengsel van klei (aluminosilicaat) en cokespoeder (koolstof) in een elektrische oven. In plaats van de......
Lees verder