- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
bedrijfsnieuws
Inzicht in chemische dampafzetting (CVD): een uitgebreid overzicht
Chemical Vapour Deposition (CVD) is een veelzijdige dunnefilmdepositietechniek die op grote schaal wordt gebruikt in de halfgeleiderindustrie voor het vervaardigen van hoogwaardige, conforme dunne films op verschillende substraten. Dit proces omvat chemische reacties van gasvormige precursoren op ee......
Lees verder
SiC-boten versus kwartsboten: huidig gebruik en toekomstige trends in de productie van halfgeleiders
Dit artikel gaat in op het gebruik en het toekomstige traject van siliciumcarbide (SiC) boten in relatie tot kwartsboten binnen de halfgeleiderindustrie, waarbij de nadruk specifiek ligt op hun toepassingen in de productie van zonnecellen.
Lees verder
Galliumnitride epitaxiale wafels: een inleiding tot het fabricageproces
Galliumnitride (GaN) epitaxiale wafergroei is een complex proces, waarbij vaak gebruik wordt gemaakt van een tweestapsmethode. Deze methode omvat verschillende kritische fasen, waaronder bakken bij hoge temperatuur, groei van de bufferlaag, herkristallisatie en uitgloeien. Door de temperatuur gedure......
Lees verder
Wat is het verschil tussen epitaxiale en diffusiewafels
Zowel epitaxiale als diffuse wafers zijn essentiële materialen bij de productie van halfgeleiders, maar ze verschillen aanzienlijk in hun fabricageprocessen en doeltoepassingen. Dit artikel gaat dieper in op de belangrijkste verschillen tussen deze wafeltypes.
Lees verder
Wat zijn de voor- en nadelen van droog etsen en nat etsen?
Etsen is een essentieel proces bij de productie van halfgeleiders. Dit proces kan worden onderverdeeld in twee typen: droog etsen en nat etsen. Elke techniek heeft zijn eigen voordelen en beperkingen, waardoor het van cruciaal belang is om de verschillen ertussen te begrijpen. Dus, hoe kies je de be......
Lees verder
Kernmateriaal voor SiC-groei: Tantaalcarbidecoating
De huidige halfgeleiders van de derde generatie zijn voornamelijk gebaseerd op siliciumcarbide, waarbij substraten 47% van de apparaatkosten voor hun rekening nemen, en epitaxie 23%, in totaal ongeveer 70%, en het meest cruciale onderdeel vormen van de productie-industrie van SiC-apparaten.
Lees verder
