> Nieuws

Nieuws

Infineon onthult 's werelds eerste 300 mm Power GaN-wafer

Onlangs heeft Infineon Technologies de succesvolle ontwikkeling aangekondigd van 's werelds eerste 300 mm krachtige Gallium Nitride (GaN) wafertechnologie.

Lees verder

Productie van monokristallijn silicium

De drie belangrijkste methoden die worden gebruikt bij de productie van monokristallijn silicium zijn de Czochralski (CZ) -methode, de Kyropoulos-methode en de Float Zone (FZ) -methode.

Lees verder

Oxidatie bij halfgeleiderverwerking

Oxidatieprocessen spelen een cruciale rol bij het voorkomen van dergelijke problemen door een beschermende laag op de wafer te creëren, bekend als de oxidelaag, die fungeert als een barrière tussen verschillende chemicaliën.

Lees verder

Analyse van de toepassingen en ontwikkelingsvooruitzichten van SiC-keramiek in de halfgeleider- en fotovoltaïsche sectoren

Siliciumcarbide (SiC), als belangrijk hoogwaardig keramisch materiaal, heeft uitstekende eigenschappen zoals hoge temperatuurbestendigheid, corrosieweerstand, slijtvastheid, mechanische sterkte bij hoge temperaturen en oxidatieweerstand. Deze eigenschappen maken het zeer veelbelovend voor toepassing......

Lees verder

Waarom kiezen voor drukloos sinteren voor SiC-keramische voorbereiding?

De ultrahoge synthesetemperatuur en de moeilijkheid om dicht sinteren van SiC-keramiek te bereiken hebben hun ontwikkeling beperkt. Het sinterproces is cruciaal voor SiC-keramiek.

Lees verder

Wat is siliciumnitride

Siliciumnitride (Si3N4) is een sleutelmateriaal in de ontwikkeling van geavanceerde structurele keramiek voor hoge temperaturen.

Lees verder

<...3 4 5 6 7...30 >