> Nieuws

Nieuws

Onderzoeksvoortgang van TaC-coatings op op koolstof gebaseerde materiaaloppervlakken

Op koolstof gebaseerde materialen zoals grafiet, koolstofvezels en koolstof/koolstof (C/C) composieten staan bekend om hun hoge specifieke sterkte, hoge specifieke modulus en uitstekende thermische eigenschappen, waardoor ze geschikt zijn voor een breed scala aan toepassingen bij hoge temperaturen......

Lees verder

Welke toepassingen van galliumnitride (GaN) substraat?

Galliumnitride (GaN) is een belangrijk materiaal in de halfgeleidertechnologie, bekend om zijn uitzonderlijke elektronische en optische eigenschappen. GaN heeft als halfgeleider met grote bandafstand een bandafstandsenergie van ongeveer 3,4 eV, waardoor het ideaal is voor toepassingen met hoog vermo......

Lees verder

Een overzicht van 9 sintertechnieken voor siliciumcarbidekeramiek

Siliciumcarbide (SiC), een prominent structureel keramiek, staat bekend om zijn uitzonderlijke eigenschappen, waaronder sterkte bij hoge temperaturen, hardheid, elastische modulus, slijtvastheid, thermische geleidbaarheid en corrosieweerstand. Deze eigenschappen maken het geschikt voor een breed sca......

Lees verder

Technische uitdagingen bij kristalgroeiovens van siliciumcarbide

Siliciumcarbide (SiC) kristalgroeiovens vormen de hoeksteen van de productie van SiC-wafels. Hoewel ze overeenkomsten vertonen met traditionele siliciumkristalgroeiovens, worden SiC-ovens geconfronteerd met unieke uitdagingen als gevolg van de extreme groeiomstandigheden van het materiaal en de comp......

Lees verder

Zuiveringstechnologie van grafiet in SiC-halfgeleider

Grafiet is van cruciaal belang bij de productie van halfgeleiders van siliciumcarbide (SiC), bekend om hun uitzonderlijke thermische en elektrische eigenschappen. Dit maakt SiC ideaal voor toepassingen met hoog vermogen, hoge temperaturen en hoge frequentie. Bij de productie van SiC-halfgeleiders wo......

Lees verder

Methode voor GaN-kristalgroei

Bij de productie van grote GaN-eenkristalsubstraten is HVPE momenteel de beste keuze voor commercialisering. De achterdragerconcentratie van het gegroeide GaN kan echter niet nauwkeurig worden gecontroleerd.

Lees verder

<...5 6 7 8 9...30 >