Kristalgroei is de belangrijkste schakel bij de productie van siliciumcarbidesubstraten, en de kernapparatuur is de kristalgroeioven. Net als bij traditionele kristallijne kristalgroeiovens van siliciumkwaliteit, is de ovenstructuur niet erg complex en bestaat deze voornamelijk uit een ovenlichaam, ......
Lees verderDe derde generatie halfgeleidermaterialen met brede bandafstand, zoals galliumnitride (GaN) en siliciumcarbide (SiC), staan bekend om hun uitzonderlijke mogelijkheden voor opto-elektronische conversie en microgolfsignaaloverdracht. Deze materialen voldoen aan de veeleisende eisen van elektronische......
Lees verderEen SiC-boot, een afkorting van siliciumcarbideboot, is een hittebestendig accessoire dat in ovenbuizen wordt gebruikt om wafels te vervoeren tijdens verwerking bij hoge temperaturen. Vanwege de uitstekende eigenschappen van siliciumcarbide, zoals weerstand tegen hoge temperaturen, chemische corrosi......
Lees verderMomenteel gebruiken de meeste fabrikanten van SiC-substraten een nieuw thermisch veldprocesontwerp voor smeltkroezen met poreuze grafietcilinders: het plaatsen van zeer zuivere SiC-deeltjesgrondstoffen tussen de grafietkroeswand en de poreuze grafietcilinder, terwijl de gehele smeltkroes wordt verdi......
Lees verderChemical Vapour Deposition (CVD) verwijst naar een procestechnologie waarbij meerdere gasvormige reactanten bij verschillende partiële drukken een chemische reactie ondergaan onder specifieke temperatuur- en drukomstandigheden. De resulterende vaste substantie zet zich af op het oppervlak van het su......
Lees verderIn de moderne elektronica, opto-elektronica, micro-elektronica en informatietechnologie zijn halfgeleidersubstraten en epitaxiale technologieën onmisbaar. Ze bieden een solide basis voor de productie van hoogwaardige en zeer betrouwbare halfgeleiderapparaten. Naarmate de technologie zich blijft ontw......
Lees verder