Siliciumcarbide (SiC) is een materiaal dat een hoge bindingsenergie bezit, vergelijkbaar met andere harde materialen zoals diamant en kubisch boornitride. De hoge bindingsenergie van SiC maakt het echter moeilijk om via traditionele smeltmethoden rechtstreeks in blokken te kristalliseren. Daarom omv......
Lees verderHalfgeleidermaterialen kunnen volgens de tijdsvolgorde in drie generaties worden verdeeld. De eerste generatie germanium, silicium en andere gebruikelijke monomaterialen, die wordt gekenmerkt door gemakkelijk schakelen, wordt doorgaans gebruikt in geïntegreerde schakelingen. De tweede generatie gall......
Lees verderTerwijl de wereld zoekt naar nieuwe mogelijkheden op het gebied van halfgeleiders, blijft galliumnitride opvallen als een potentiële kandidaat voor toekomstige energie- en RF-toepassingen. Ondanks alle voordelen die het biedt, staat het echter nog steeds voor een grote uitdaging; er zijn geen P-type......
Lees verderGalliumoxide (Ga2O3) is een veelbelovend materiaal gebleken voor diverse toepassingen, met name in elektrische apparaten en radiofrequentie (RF) apparaten. In dit artikel onderzoeken we de belangrijkste kansen en doelmarkten voor galliumoxide in deze domeinen.
Lees verderGalliumoxide (Ga2O3) als halfgeleidermateriaal met ultrabrede bandafstand heeft aanhoudende aandacht gekregen. Halfgeleiders met een ultrabrede bandafstand vallen onder de categorie van ‘halfgeleiders van de vierde generatie’, en in vergelijking met halfgeleiders van de derde generatie, zoals silici......
Lees verderGrafitiseren is het proces waarbij niet-grafietische houtskool wordt omgezet in grafiethoutskool met een driedimensionale, regelmatig geordende grafietstructuur door hittebehandeling bij hoge temperatuur, waarbij volledig gebruik wordt gemaakt van elektrische weerstandswarmte om het houtskoolmateria......
Lees verder